[发明专利]用于校正磁体相对于GMR传感器的位置的方法和装置有效

专利信息
申请号: 201880036091.0 申请日: 2018-06-07
公开(公告)号: CN110678716B 公开(公告)日: 2022-04-08
发明(设计)人: 马库斯·迪特里希 申请(专利权)人: 舍弗勒技术股份两合公司
主分类号: G01D18/00 分类号: G01D18/00
代理公司: 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 代理人: 柳春雷
地址: 德国黑措*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 用于 校正 磁体 相对于 gmr 传感器 位置 方法 装置
【说明书】:

发明涉及一种用于校正磁体相对于GMR传感器的位置的方法,其中,借助第二评估电路(21)由通过固定在电动机(14)的转子(17)上的磁体(18)产生的可变磁场得出转子的位置。在可以实现GMR传感器(20)的高精度信号输出的方法中,由通过磁体展开的磁场的磁总矢量的方向和/或转动推导出GMR传感器(20)的最佳工作区域,这通过借助第二磁场传感器在通过磁总矢量展开的平面中测量磁场强度实现。

技术领域

本发明涉及一种用于校正磁体相对于GMR传感器的位置的方法,其中,借助第二评估电路由通过固定在电动机的转子上的磁体产生的可变磁场得出转子的位置。

背景技术

在现代化的机动车、尤其轿车中越来越多地使用自动离合器。在此使用的离合器应用在液压离合器系统中,在离合器系统中,电液式致动器经由液压管路与离合器连接,电液式致动器通过纯电式的换向电动机驱动。为了正确换向,电动机具有传感器,传感器探测电动机在致动器运行期间的位置。为此必须使用多圈传感器,因为需要电动机转动多于一圈,以确定致动器的移动路程。GMR传感器也属于这种多圈传感器。在使用这种GMR传感器时,电动机的磁回路必须如此设计,使得磁场始终位于用于传感器的特定工作区域中。但是这不能由GMR传感器自身确定。GMR传感器的最佳工作区域非常窄。若磁场太弱,则磁体的极转变部不继续转动,因此传感器计数出现错误。也就是说,即使磁体运动,也没有计转数。在相反的情况下,若磁场太强,则即使然磁体不转动,也产生极转变部。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是,提供一种用于校正磁体相对于GMR传感器的位置的方法,在该方法中,校正GMR传感器的最佳工作区域。

根据本发明,该技术问题通过以下方式解决:由通过磁体展开的磁场的磁总矢量的方向和/或转动推导出GMR传感器的最佳工作区域,这通过借助第二磁场传感器在通过磁总矢量展开的平面中测量磁场强度实现。通过由第二磁场传感器测量磁场强度可简单确定,磁体是否位于对于GMR传感器最佳的工作区域中。

有利地,使用霍尔效应传感器作为第二磁场传感器,其检测区域垂直于转子的旋转轴线。由此确保,确实在通过磁总矢量展开的平面中可靠地确定场强。

在一种设计方案中,在通过第二磁场传感器测量场强时,如此调节转子上的磁体的位置,直至通过第二磁场传感器得到GMR传感器的磁场强度的最佳工作区域。在此,待测量的物理变量可简单地设定成通量密度的形式,并且可取消在磁体和GMR传感器之间的几何间距的确定,其仅近似地相当于磁场。因此无需考虑磁体的场强误差。

在一种实施方式中,磁体相对于GMR传感器的校正在制造驱动元件的生产线末端处进行。通过在生产线末端处的一次性测量,磁体可靠地相对于GMR传感器定位,从而GMR传感器始终在最佳的工作区域中工作。

本发明的改进方案涉及用于校正磁体相对于GMR传感器的位置的装置,该装置包括布置在电动机的转子上的磁体,该磁体与GMR传感器作用式连接,其中,GMR传感器与第二评估电路共同地构造在电路板上。在该装置中,确保由磁体展开的磁场始终位于GMR传感器的特定工作区域中,用于检测通过磁体产生的可变磁场的场强的垂直霍尔效应传感器是第二评估电路的组成部分。因为该霍尔效应传感器与第二评估电路共同地在一个制造工艺中制成,霍尔效应传感器的集成几乎是不影响成本的,因为霍尔效应传感器可在与构造成ASIC的第二评估电路的剩余部分的相同工艺中制成。通过使用垂直霍尔效应传感器确保了,垂直霍尔效应传感器实际上在与GMR传感器相同的平面中运行,因此探测相同的场强变化。

有利地,垂直霍尔效应传感器构造在第二评估电路的半导体层内。在此,取消安装单独的霍尔效应传感器。

在一种设计方案中,垂直霍尔效应传感器的检测区域对准磁场的磁总矢量运动的平面。由此,霍尔效应传感器始终精确地在与GMR传感器相同的平面中测量,由此确保可靠地确定出现的磁场强度。

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