[发明专利]用于校正磁体相对于GMR传感器的位置的方法和装置

权利要求书

1.用于校正磁体相对于GMR传感器的位置的方法，其中，借助第二评估电路（21）由通过固定在电动机（14）的转子（17）上的磁体（18）产生的可变磁场得出所述转子（17）的位置，其特征在于，由通过所述磁体（18）展开的磁场的磁总矢量的方向和/或转动推导出所述GMR传感器（20）的最佳工作区域，这通过借助第二磁场传感器在通过所述磁总矢量展开的平面中测量磁场强度实现；

使用霍尔效应传感器作为第二磁场传感器，其检测区域垂直于所述转子（17）的旋转轴线。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在通过所述第二磁场传感器测量场强时，如此调节所述转子（17）上的磁体（18）的位置，直至通过所述第二磁场传感器得到所述GMR传感器（20）的磁场强度的最佳工作区域。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述最佳的工作区域根据所述GMR传感器（20）所设计针对的场强区域确定。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，其特征在于，所述磁体（18）相对于所述GMR传感器（20）的校正在制造所述电动机（14）的生产线末端处进行。

5.用于校正磁体相对于GMR传感器的位置的装置，所述装置包括布置在电动机（14）的转子（17）上的磁体（18），所述磁体与所述GMR传感器（20）作用式连接，其中，所述GMR传感器（20）与第二评估电路（21）共同地构造在电路板（19）上，其特征在于，用于检测通过所述磁体（18）产生的可变磁场的场强的垂直霍尔效应传感器是所述第二评估电路（21）的组成部分；

其中，所述霍尔效应传感器的检测区域对准所述磁场的磁总矢量运动的平面。

6.根据权利要求5所述的装置，其特征在于，所述垂直霍尔效应传感器构造在所述第二评估电路（21）的半导体层内。

7.根据权利要求5或6所述的装置，其特征在于，所述GMR传感器（20）构造成多圈传感器。