[发明专利]纳米结构

权利要求书

1.一种物质组合物，其包含至少一种纳米结构，该纳米结构外沿地生长于视情况掺杂的β-Ga₂O₃衬底上，

其中该纳米结构包含至少一种第III-V族化合物。

2.如权利要求1所述的物质组合物，其中该至少一种纳米结构是经掺杂的，例如p型掺杂。

3.如权利要求1所述的物质组合物，其中该至少一种纳米结构包含径向或轴向异质结构。

4.一种物质组合物，其包含：

至少一种核心半导体纳米结构，其外沿地生长于视情况掺杂的β-Ga₂O₃衬底上，其中该纳米结构包含至少一种第III-V族化合物；

半导体壳，其包围该核心纳米结构，该壳包含至少一种第III-V族化合物；

该核心半导体纳米结构经掺杂以形成n型或p型半导体；及

该壳经掺杂以形成与该核心相反的p型半导体或n型半导体；及

外部导电涂层，其包围该壳的形成电极接头的至少一部分。

5.一种物质组合物，其包含：

至少一种半导体纳米结构，其外沿地生长于视情况掺杂的β-Ga₂O₃衬底上，其中该纳米结构包含至少一种第III-V族化合物；

该半导体纳米结构经掺杂以使得该纳米结构含有轴向n型及p型半导体区。

6.如权利要求1至5中任一项所述的物质组合物，其中该纳米结构自(-201)或(100)β-Ga₂O₃衬底平面生长。

7.如前述权利要求中任一项所述的物质组合物，其中该纳米结构包含第III族-N化合物。

8.如前述权利要求中任一项所述的物质组合物，其中该纳米结构包含GaN、AlN、AlGaN、InGaN或AlInGaN。

9.如前述权利要求中任一项所述的物质组合物，其中该纳米结构为纳米线或纳米棱锥。

10.如权利要求9所述的物质组合物，其中该纳米线的直径不超过400nm且长度为至多5微米，例如至多2微米。

11.如前述权利要求中任一项所述的物质组合物，其中该衬底包含复数个纳米线且其中所述纳米线优选地大体上平行。

12.如前述权利要求中任一项所述的物质组合物，其进一步包含定位于该衬底与该纳米结构之间的经掺杂或未掺杂的第III-V族缓冲层。

13.如权利要求12所述的物质组合物，其中该缓冲层为经掺杂或未掺杂的GaN。

14.如前述权利要求中任一项所述的物质组合物，其进一步包含在该衬底上的孔洞图案化掩膜，其中所述纳米结构生长穿过该掩膜的孔洞。

15.如前述权利要求中任一项所述的物质组合物，其进一步包含在该衬底上的孔洞图案化掩膜、在该掩膜的孔洞中的经掺杂或未掺杂的第III-V族化合物缓冲层，其中所述纳米结构自该缓冲层生长穿过该掩膜的孔洞。

16.一种物质组合物，其包含至少一种外沿地生长于衬底上的纳米结构，该衬底包含掺杂或未掺杂的第III-V族化合物缓冲层，诸如掺杂或未掺杂的GaN缓冲层，及视情况掺杂的β-Ga₂O₃层，

其中该纳米结构包含至少一种第III-V族化合物。