[发明专利]处理条件设定方法、存储介质和基板处理系统

说明书

本发明提供一种处理条件设定方法、存储介质和基板处理系统，本方法包括：利用基板处理系统内的摄像装置拍摄作为条件设定的基准的基准基板，取得基准基板的拍摄图像的工序；利用摄像装置拍摄在现在的处理条件进行了规定的处理的已处理基板，取得已处理基板的拍摄图像的工序；计算已处理基板的拍摄图像和基准基板的拍摄图像的颜色信息的偏差量的工序；基于预先取得的相关模型和上述颜色信息的偏差量，计算处理条件的补正量的工序；和基于补正量设定处理条件的工序，在每个处理装置中进行取得基准基板的拍摄图像的工序以外的工序。

技术领域

(关联申请的相互参照)

本发明基于2017年6月5日向日本国申请的日本特愿2017-110817号而主张优先权，并将其内容援引于此。

本发明涉及对基板处理系统中的规定处理的处理条件进行设定的处理条件设定方法、存储介质和基板处理系统，该基板处理系统具备处理装置，实施对基板进行的规定的处理。

背景技术

在例如半导体器件的制造处理中的光刻工序中，依次进行例如在半导体晶片(以下称为“晶片”)上涂敷抗蚀剂液形成抗蚀剂膜的抗蚀剂涂敷处理、将抗蚀剂膜曝光成规定图案的曝光处理、在曝光后促进抗蚀剂膜内的化学反应的加热处理(PEB(Post ExposureBake)处理)、对曝光后的抗蚀剂膜进行显影的显影处理等，通过该一系列的晶片处理在晶片上形成规定的抗蚀剂图案。

上述的PEB处理等的加热处理通常由具有能够载置晶片并对其进行加热的热板的热处理装置进行。热处理装置的热板内置有例如通过供电而能够发热的加热器，通过该加热器的发热，热板被调整为规定温度。

加热处理中的热处理温度会对最终在晶片上形成的抗蚀剂图案的线宽产生较大影响。所以，为了精密地对加热时的晶片面内的温度进行调整，而将上述的加热处理装置的热板分割为多个区域，在每个区域内置有独立的加热器，对每个区域进行温度调整。

另外，在使上述热板的各区域的处理温度全都相同时，例如因各区域的热电阻的不同等，使得热板上的晶片面内的温度不均，该结果最终导致抗蚀剂图案的线宽不均，这是公知的。因此，对热板的各区域分别设定处理温度(参照专利文献1)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本第2007-177024号公报

发明内容

发明所要解决的技术问题

但是，为了进行热板的各区域的处理温度的设定，一直以来都是针对各区域测定形成在晶片的抗蚀剂图案的线宽，并基于该测定结果进行上述处理温度的调整。另外，该测定使用扫描型电子显微镜(SEM：Scanning Electron Microscope)。

然而，能够测定抗蚀剂图案的线宽的SEM相对昂贵，另外，用该SEM测定线宽需要时间。尤其是，为了精密地进行上述处理温度的设定，在热板的每个区域中必须在多个部位进行抗蚀剂图案的线宽的测定。在该情况下，线宽测定所需时间进一步变大。另外，进行一系列的光刻工序的基板处理系统为了提高生产性而搭载了多个热处理装置。在该情况下，在每个热处理装置中必须进行热板的各区域的处理温度的设定，所以，该调整所必要的线宽测定进一步需要时间。

专利文献1关于这点并未公开和暗示。

另外，上述的抗蚀剂涂敷处理是在抗蚀剂涂敷装置中一边使晶片旋转一边对该晶片供给抗蚀剂液形成抗蚀剂膜的处理，为了获得规定膜厚的抗蚀剂膜，而要对晶片的处理转速等的处理条件进行调整。为了该调整而进行抗蚀剂膜的膜厚的测定，该测定能够使用截面SEM等的方法。在该方法中，需要破坏晶片制作截面试样。所以，膜厚的测定花费工夫，需要时间。另外，在抗蚀剂涂敷装置在基板处理系统设置多个，在每个抗蚀剂涂敷置必须设定晶片的处理转速，该设定所需要的膜厚的测定进一步需要时装间。