[发明专利]记忆性结构

权利要求书

1.一种制造用于在电阻状态之间进行对称调制的记忆性结构的方法，该方法包括：

在绝缘基板上形成第一电极和第二电极；

形成接触第一和第二电极的阳极；

在阳极上方形成离子导体；

在离子导体上形成阴极；

在阴极上形成第三电极；和

能够在阳极和阴极之间双向传输离子，从而调节记忆性结构的电阻，阳极和阴极由亚稳材料形成，

其中，所述阳极和所述阴极之间的离子的化学势差保持在零附近。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述电阻调节包括用于保持所述电阻状态之间的对称调制的电阻切换。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一，第二和第三电极由惰性金属形成。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述亚稳材料是亚稳相分离的混合离子电子导体(MIEC)，其电导率取决于插入的移动离子的浓度。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，在第一电极与第三电极之间或在第二电极与第三电极之间施加电脉冲以实现写入操作。

6.根据权利要求1所述的方法，其中在第一和第二电极之间施加电脉冲以实现读取操作。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，离子的移动是通过施加电压来实现的，以使得读取和写入操作能够同时发生。

8.一种用于在电阻状态之间进行对称调制的记忆性结构，该结构包括：

在绝缘基板上形成的第一电极和第二电极；

阳极与第一和第二电极接触；

在阳极上形成的离子导体；

在离子导体上形成的阴极；和

在阴极上形成的第三电极；

其中阳极和阴极由亚稳态材料形成，使得离子能够在阳极和阴极之间双向传输，从而导致记忆性结构的电阻调节，

其中，所述阳极和所述阴极之间的离子的化学势差保持接近零。

9.根据权利要求8所述的结构，其中，所述电阻调节包括用于保持所述电阻状态之间的对称调制的电阻切换。

10.根据权利要求8所述的结构，其中，所述第一，第二和第三电极由惰性金属形成。

11.根据权利要求8所述的结构，其中，所述亚稳态材料是亚稳相分离的混合离子电子导体(MIEC)，其电导率取决于插入的移动离子的浓度。

12.根据权利要求8所述的结构，其中电脉冲被施加在第一电极与第三电极之间或在第二电极与第三电极之间，以使得能够进行写入操作。

13.根据权利要求8所述的结构，其中，在第一电极与第二电极之间施加电脉冲以使得能够进行读取操作。

14.根据权利要求8所述的结构，其特征在于，离子的移动是通过施加电压来实现的，以使得读取和写入操作能够同时发生。

15.一种用于在电阻状态之间进行对称调制的记忆性结构，该结构包括：

在亚稳阳极和亚稳阴极之间形成的离子导电层；和

与亚稳阳极和阴极相邻形成的电极；

其中在亚稳阳极和阴极之间离子的双向传输导致电阻切换，以维持电阻状态之间的对称调制，

其中，亚稳阳极和阴极之间的离子的化学势差保持接近零。

16.根据权利要求15所述的结构，其中，所述电极由惰性金属形成，并且所述亚稳阳极和阴极是亚稳相分离的混合离子电子导体(MIEC)，其电导率取决于插入的移动离子的浓度。

17.根据权利要求15所述的结构，其中在电极之间施加电脉冲以实现写操作和读操作。