[发明专利]抗蚀剂下层膜形成用组合物

权利要求书

1.一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含树脂、下述式(1a)或式(1b)所示的化合物、和溶剂，相对于所述树脂，含有0.01质量％～60质量％的所述式(1a)或式(1b)所示的化合物，

式中，X表示羰基或亚甲基，l和m各自独立地表示满足3≤l+m≤10的关系式的整数0～5，n表示整数2～5。

2.根据权利要求1所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，所述式(1a)所示的化合物中的至少一个苯环在该环的2个以上相邻的碳原子上存在酚性羟基，所述式(1b)所示的化合物中的苯环在该环的2个以上相邻的碳原子上存在酚性羟基。

3.根据权利要求1或2所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，在所述式(1a)所示的化合物中l和m分别表示3，在所述式(1b)所示的化合物中n表示3。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，所述树脂为不具有包含环氧环或氧杂环丁烷环的取代基的共聚物。

5.一种半导体元件的制造方法，其具有下述工序：在表面具有凹部且可以形成有无机膜的半导体基板上，涂布权利要求1～4中任一项所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物的工序；通过将所述抗蚀剂下层膜形成用组合物进行烘烤而至少在所述凹部形成抗蚀剂下层膜的工序；以及在所述抗蚀剂下层膜上形成抗蚀剂图案的工序。

6.根据权利要求5所述的半导体元件的制造方法，所述半导体基板具有宽度为0.001μm～0.10μm且长宽比为1～100的沟槽。

7.一种图案形成方法，其具有下述工序：使用权利要求1～4中任一项所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，在表面可以形成有无机膜的半导体基板上形成抗蚀剂下层膜的工序；在所述抗蚀剂下层膜上形成抗蚀剂图案的工序；以所述抗蚀剂图案作为掩模对所述抗蚀剂下层膜进行干蚀刻而使所述无机膜或所述半导体基板的表面露出的工序；以及以干蚀刻后的所述抗蚀剂下层膜作为掩模，使用过氧化氢水溶液对所述无机膜或所述半导体基板进行湿蚀刻并进行清洗的工序。