[发明专利]乙硅烷基胺化合物，其制备方法，以及包括其的含硅薄膜沉积组合物

权利要求书

1.一种乙硅烷基胺化合物，由以下化学式2表示：

[化学式2]

所述化学式2中，R₁₁至R₁₄各自独立地为C1-C7烷基或C2-C7烯基。

2.根据权利要求1所述的乙硅烷基胺化合物，其中，

所述化学式2的乙硅烷基胺化合物选自由以下化合物组成的组：

3.一种乙硅烷基胺化合物的制备方法，包括：

使以下化学式3的化合物与以下化学式4的化合物在碱的存在下反应以制备以下化学式5的化合物；以及

在还原剂存在下还原以下化学式5的化合物，以制备以下化学式2的乙硅烷基胺化合物：

[化学式2]

[化学式3]

[化学式4]

[化学式5]

所述化学式2及化学式3至5中，R₁₁至R₁₄各自独立地为C1-C7烷基或C2-C7烯基；以及

X₁至X₆各自独立地为卤素。

4.根据权利要求3所述的乙硅烷基胺化合物的制备方法，其中，

所述碱是三(C1-C5烷基)胺或吡啶，

所述还原剂是LiAlH₄、NaBH₄或MH，所述M是碱金属。

5.根据权利要求3所述的乙硅烷基胺化合物的制备方法，其中，

所述碱和所述化学式4的化合物以1:1至1:2的摩尔比使用，

所述还原剂和所述化学式5的化合物以1:1.25至1:6.0的摩尔比使用。

6.根据权利要求3所述的乙硅烷基胺化合物的制备方法，其中，

相对于1摩尔所述化学式3的化合物，使用1摩尔至2摩尔的所述化学式4的化合物。

7.一种用于沉积含硅薄膜的组合物，其中，

包含根据权利要求1或2所述的乙硅烷基胺化合物。

8.一种含硅薄膜的制造方法，其中，

使用根据权利要求7所述的用于沉积含硅薄膜的组合物。

9.根据权利要求8所述的含硅薄膜的制造方法，其中，

所述制造方法通过原子层沉积、化学气相沉积、金属有机化学气相沉积、低压化学气相沉积、等离子体增强化学气相沉积或等离子体增强原子层沉积来执行。

10.根据权利要求8所述的含硅薄膜的制造方法，包括以下步骤：

a)将安装在腔室中的基底的温度保持在30至400℃；

b)注入载气和权利要求7所述的用于沉积含硅薄膜的组合物；以及

c)注入反应气体以在所述基底上沉积含硅薄膜。

11.根据权利要求10所述的含硅薄膜的制造方法，其中，

所述反应气体是选自以下组成的组的任何一种或两种或多种：氧气、臭氧、蒸馏水、过氧化氢、一氧化氮、氧化亚氮、二氧化氮、氨气、氮气、肼、胺、一氧化碳、二氧化碳、C₁至C₁₂饱和或不饱和烃、氢气、氩气和氦气。