[发明专利]包含采用碳原子间的不饱和键的等离子体固化性化合物的高低差基板被覆膜形成用组合物

说明书

本发明的课题是提供形成具有对图案的填充性和平坦化性的被膜的等离子体固化性高低差基板被覆膜形成用组合物。解决手段是一种等离子体固化性高低差基板被覆膜形成用组合物，其包含化合物(E)和溶剂(F)，所述化合物(E)包含选自下述式(1‑1)～式(1‑7)所示的部分结构(I)中的至少一种结构。(式中，R¹、R^1a、R³、R^5a和R^6a各自独立地表示碳原子数1～10的亚烷基、碳原子数6～40的亚芳基(该亚烷基和亚芳基可以任意地被1个或2个以上酰胺基或氨基取代)、氧原子、羰基、硫原子、‑C(O)‑NR^a‑、‑NR^b‑或由它们的组合形成的2价基团，R⁵各自独立地表示氮原子、或由氮原子与选自碳原子数1～10的亚烷基、碳原子数6～40的亚芳基(该亚烷基和亚芳基可以任意地被1个或2个以上酰胺基或氨基取代)、氧原子、羰基、硫原子、‑C(O)‑NR^a‑和‑NR^b‑中的至少一个以上基团的组合形成的3价基团，R²、R^2a、R⁴、和R⁶各自独立地表示氢原子、碳原子数1～10的烷基、或由氢原子与选自碳原子数1～10的亚烷基、氧原子、羰基、‑C(O)‑NR^a‑和‑NR^b‑中的至少一个以上基团的组合形成的1价基团，R^a表示氢原子或碳原子数1～10的烷基，R^b表示氢原子、碳原子数1～10的烷基或碳原子数1～10的烷基羰基，n表示1～10的重复单元数，并且虚线表示与相邻原子结合的化学键。)

技术领域

涉及用于通过等离子体照射在具有高低差的基板上形成平坦化膜的高低差基板被覆膜形成用组合物、和使用了该高低差基板被覆膜形成用组合物的被平坦化了的叠层基板的制造方法。

背景技术

近年来，半导体集成电路装置按照微细的设计规则被加工。为了通过光学光刻技术而形成更加微细的抗蚀剂图案，需要将曝光波长短波长化。

然而，随着曝光波长的短波长化而焦深降低，因此需要使在基板上形成的被膜的平坦化性提高。为了制造具有微细的设计规则的半导体装置，基板上的平坦化技术变得重要。

作为平坦化膜形成方法，公开了例如通过光固化形成在抗蚀剂下形成的抗蚀剂下层膜的方法。

公开了包含侧链具有环氧基或氧杂环丁烷基的聚合物和光阳离子聚合引发剂的抗蚀剂下层膜形成用组合物、或包含具有能够自由基聚合的烯属不饱和键的聚合物和光自由基聚合引发剂的抗蚀剂下层膜形成用组合物(参照专利文献1)。

此外，公开了包含具有环氧基和乙烯基等能够阳离子聚合的反应性基的硅系化合物、和光阳离子聚合引发剂、光自由基聚合引发剂的抗蚀剂下层膜形成用组合物(参照专利文献2)。

此外，公开了使用含有侧链具有交联性官能团(例如羟基)的聚合物、交联剂和光产酸剂的抗蚀剂下层膜的半导体装置的制造方法(参照专利文献3)。

此外，公开了虽然不是光交联系的抗蚀剂下层膜，但主链或侧链具有不饱和键的抗蚀剂下层膜(参照专利文献4、5)

现有技术文献

专利文献

专利文献1：国际公开小册子2006/115044

专利文献2：国际公开小册子2007/066597

专利文献3：国际公开小册子2008/047638

专利文献4：国际公开小册子2009/008446

专利文献5：日本特表2004-533637

发明内容

发明所要解决的课题