[发明专利]包含采用碳原子间的不饱和键的等离子体固化性化合物的高低差基板被覆膜形成用组合物

权利要求书

1.一种等离子体固化性高低差基板被覆膜形成用组合物，其包含化合物(E)和溶剂(F)，所述化合物(E)包含选自下述式(1-1)～式(1-7)所示的部分结构(I)中的至少一种结构，

式中，R¹、R^1a、R³、R^5a和R^6a各自独立地表示碳原子数1～10的亚烷基、碳原子数6～40的亚芳基、氧原子、羰基、硫原子、-C(O)-NR^a-、-NR^b-或由它们的组合形成的2价基团，该亚烷基和亚芳基可以任意地被1个或2个以上酰胺基或氨基取代，

R⁵各自独立地表示氮原子、或由氮原子与选自碳原子数1～10的亚烷基、碳原子数6～40的亚芳基、氧原子、羰基、硫原子、-C(O)-NR^a-和-NR^b-中的至少一个以上基团的组合形成的3价基团，该亚烷基和亚芳基可以任意地被1个或2个以上酰胺基或氨基取代，

R²、R^2a、R⁴和R⁶各自独立地表示氢原子、碳原子数1～10的烷基、或由氢原子与选自碳原子数1～10的亚烷基、氧原子、羰基、-C(O)-NR^a-和-NR^b-中的至少一个以上基团的组合形成的1价基团，

R^a表示氢原子或碳原子数1～10的烷基，

R^b表示氢原子、碳原子数1～10的烷基或碳原子数1～10的烷基羰基，

n表示1～10的重复单元数，并且

虚线表示与相邻原子结合的化学键。

2.根据权利要求1所述的等离子体固化性高低差基板被覆膜形成用组合物，所述R^5a和R^6a分别为碳原子数1～10的亚烷基、碳原子数6～40的亚芳基、氧原子、羰基、硫原子、或由它们的组合形成的2价基团。

3.根据权利要求1或2所述的等离子体固化性高低差基板被覆膜形成用组合物，化合物(E)为下述化合物(1)、化合物(2)或化合物(3)：

所述化合物(1)通过包含碳原子间的不饱和键的产质子化合物(A)与环氧化合物(B)的反应而获得；

所述化合物(2)通过包含碳原子间的不饱和键的环氧化合物(C)与产质子化合物(D)的反应而获得；

所述化合物(3)通过下述具有羟基的化合物与包含不饱和键且能够与该羟基反应的化合物(G)的反应而获得，所述具有羟基的化合物是通过环氧化合物(B)或包含碳原子间的不饱和键的环氧化合物(C)、与包含碳原子间的不饱和键的产质子化合物(A)或产质子化合物(D)的反应而生成的。

4.根据权利要求3所述的等离子体固化性高低差基板被覆膜形成用组合物，所述化合物(E)为所述产质子化合物(A)与环氧化合物(B)的反应物，其中，所述产质子化合物(A)的质子与所述环氧化合物(B)的环氧基的摩尔比为1:1～1:1.5。

5.根据权利要求3所述的等离子体固化性高低差基板被覆膜形成用组合物，所述化合物(E)为所述环氧化合物(C)与所述产质子化合物(D)的反应物，其中，所述环氧化合物(C)的环氧基与所述产质子化合物(D)的质子的摩尔比为1:1～1.5:1。

6.根据权利要求3或4所述的等离子体固化性高低差基板被覆膜形成用组合物，所述包含碳原子间的不饱和键的产质子化合物(A)为含有碳原子间的不饱和键的羧酸、含有碳原子间的不饱和键的酸酐、含有碳原子间的不饱和键的胺、含有碳原子间的不饱和键的酰胺、含有碳原子间的不饱和键的异氰脲酸酯、含有碳原子间的不饱和键的酚、或含有碳原子间的不饱和键的硫醇。