[发明专利]确定用于处理光刻掩模的缺陷的修复形状的装置和方法

说明书

本发明关于用于确定用于处理光刻掩模(100)的至少一个缺陷(140)的修复形状(195)的方法，其包含以下步骤：(a)决定至少一个缺陷(140)的修复形状(195)的至少一个校正值(185)，其中校正值(185)考虑光刻掩模(100)的至少一个图案元素(130)的位置(175)，该至少一个图案元素没有接触至少一个缺陷(140)；以及(b)通过应用至少一个校正值(185)来校正修复形状(195)。

相关申请的交叉引用

本申请主张2017年3月8日申请的德国专利申请10 2017 203 841.1的权益，其名称为“Verfahren und Vorrichtung zum Ermitteln einer Reparaturform zumBearbeiten eines Defekts einer photolithographischen Maske”，且其全部内容以引用的方式并入本文。

技术领域

本发明关于用于确定用于处理光刻掩模的缺陷的修复形状的方法和装置。

背景技术

由于半导体产业中不断增长的集成密度，光刻掩模需要成像越来越小的结构。因此，光掩模的生产变得越来越复杂，也因此更为昂贵。光掩模结构尺寸的减小导致在光掩模上出现新的、额外的误差或缺陷。在制造具有更小结构的光掩模期间所增加的支出及由此带来的成本压力将迫使对在掩模生产期间或在使用掩模期间出现的缺陷进行修复，以避免其昂贵的、完全更新的生产。

在修复光掩模上的缺陷前，需先将缺陷定位。这通过光学检验来实现，其较佳使用短波长的光子。在第二步骤中，通过使用来自FIB(聚焦离子束)扫描显微镜或扫描电子显微镜(SEM)的粒子束(离子或电子)进行扫描来分析局部缺陷。若使用电子束，则使用从待检查的光掩模表面的电子所释放的反向散射和二次电子来产生光掩模表面的图像。若使用聚焦离子束，则就其质量进行分析(SIMS，二次离子质谱)并从基板表面的离子所释放的二次离子(除了二次电子以外)将成像所照射表面的组成。

美国专利案号US 8 316 698 B2描述了在分析邻接光掩模的图案元素的缺陷时可能发生的困难。缺陷分析针对所发现的缺陷提供修复形状。修复形状定义了所识别缺陷到光掩模的基板表面上的投射。在此处，投射垂直于光刻掩模的基板表面进行。

光刻掩模的识别缺陷较佳通过粒子束诱发程序来校正。一般将借助于粒子束诱发蚀刻程序来校正由于材料出现在应为透明的掩模基板上的点处而产生的缺陷(所谓不透明缺陷)。表示缺少吸收图案材料的点的缺陷(所谓透明缺陷)较佳为通过粒子束诱发沉积程序来校正。这些粒子束诱发的蚀刻及沉积程序是强烈局部化的程序。理想情况下，这些局部处理程序被限制在缺陷或修复形状上的粒子束直径。然而，在数学意义上，粒子束无法聚焦到点状的直径上。此外，由于蚀刻或沉积气体的分子的移动，粒子束诱发程序不会局限在粒子束的焦点。

除了所需的缺陷校正以外，仅基于修复形状实现的光刻掩模的缺陷的修复或校正也可能因此导致围绕缺陷的光掩模的基板的损坏。此外，对邻接图案元素的缺陷进行修复也可能影响此图案元素。

这个问题已经确定了。因此，申请人所发表的ebeam Initiative，20 April 2015in Yokohama-Japan”(www.ebeam.org/docs/ebeam_initiative_zeiss.pfd)描述了一种低能量的电子束，其适用于修复独立地位于光掩模基板上的小缺陷，其实质上基于修复形状而没有校正修复形状，其中掩模基板因电子束诱发蚀刻程序而受损的区域较小。

在VLSI Electronics Microstructure Science series，volume 21，AcademicPress，由N.G.Einspruch、S.S.Cohen与R.N.Singh编辑的“Beam ProcessingTechnologies”一书中的第4章“Ion beam techniques”，作者L.R.Harriot描述在缺陷上扫描离子束以去除缺陷的做法，其中离子束与缺陷边缘保持一个光束直径的距离。