[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 201880016444.0 | 申请日： | 2018-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN110678989A | 公开（公告）日： | 2020-01-10 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平;竹内敏彦;山出直人;藤木宽士;森若智昭;木村俊介 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/28;H01L21/8242;H01L27/108 |
| 代理公司： | 72001 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 张桂霞;李志强 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 导电体 氧化物 绝缘体 半导体装置 开口 微型化 导电体电 高集成化 覆盖 | ||
1.一种半导体装置，包括：
第一导电体；
所述第一导电体上的第二导电体；
覆盖所述第二导电体的第一绝缘体；
所述第一绝缘体上的第一氧化物；以及
所述第一氧化物上的第二氧化物，
其中，在所述第一氧化物及所述第一绝缘体中设置有至少与所述第一导电体的一部分重叠的开口，
并且，所述第二氧化物通过所述开口与所述第一导电体电连接。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，
其中所述第二氧化物的端部与所述第一氧化物的端部大致一致。
3.根据权利要求1所述的半导体装置，还包括：
第三导电体；
所述第三导电体上的第四导电体；
所述第二氧化物上的第三氧化物；
所述第三氧化物上的第二绝缘体；以及
所述第二绝缘体上的第五导电体，
其中所述第四导电体被所述第一绝缘体覆盖，
并且所述第五导电体隔着所述第一绝缘体、所述第一氧化物、所述第二氧化物、所述第三氧化物及所述第二绝缘体与所述第三导电体及所述第四导电体重叠。
4.根据权利要求3所述的半导体装置，
其中所述第一导电体和所述第三导电体包含相同的材料，
并且所述第二导电体和所述第四导电体包含相同的材料。
5.根据权利要求1所述的半导体装置，
其中所述第二导电体包含金属氮化物。
6.根据权利要求5所述的半导体装置，
其中所述金属氮化物为氮化钛或氮化钽。
7.一种半导体装置的制造方法，包括如下步骤：
在绝缘表面上形成第一导电膜；
在所述第一导电膜上形成第二导电膜；
对所述第二导电膜及所述第一导电膜进行图案化，来形成第一导电体及所述第一导电体上的第二导电体；
以覆盖所述第一导电体及所述第二导电体的方式形成第一绝缘膜；
以使所述第二导电体露出的方式对所述第一绝缘膜进行加工，来形成第一绝缘体；
在所述第一绝缘体及所述第二导电体上形成第二绝缘体；
在所述第二绝缘体上形成第一氧化膜；
在所述第一氧化膜及所述第二绝缘体中形成至少与所述第一导电体的一部分重叠的开口；
在所述第一氧化膜及所述第一导电体上形成第二氧化膜；以及
对所述第二氧化膜及所述第一氧化膜进行图案化，来形成第一氧化物及所述第一氧化物上的第二氧化物。
8.根据权利要求7所述的半导体装置的制造方法，还包括如下步骤：
通过对所述第二导电膜及所述第一导电膜进行图案化，还形成第三导电体及所述第三导电体上的第四导电体；
在所述第二氧化物上形成第三氧化膜；
在所述第三氧化膜上形成第二绝缘膜；
在所述第二绝缘膜上形成第三导电膜；
对所述第三导电膜进行图案化，来形成第五导电体；
对所述第二绝缘膜进行图案化，来形成第三绝缘体；以及
对所述第三氧化膜进行图案化，来形成第三氧化物，
其中所述第五导电体隔着所述第二绝缘体、所述第一氧化物、所述第二氧化物、所述第三氧化物及所述第三绝缘体与所述第三导电体及所述第四导电体重叠。
9.根据权利要求7所述的半导体装置的制造方法，
其中所述第二导电膜包含金属氮化物。
10.根据权利要求9所述的半导体装置的制造方法，
其中所述金属氮化物为氮化钛或氮化钽。
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