[发明专利]电解处理装置和电解处理方法

说明书

实施方式所涉及的电解处理装置(1、1A)是对被处理基板进行电解处理的电解处理装置，其具备基板保持部(10)和电解处理部(20)。基板保持部(10)具有间接阴极(12)和绝缘性的保持基体(11)，该保持基体(11)用于保持被处理基板，该间接阴极(12)设置在保持基体(11)的内部且被施加负电压。电解处理部(20)以面对基板保持部(10)的方式设置，向被处理基板以及与被处理基板相接的电解液施加电压。

技术领域

公开的实施方式涉及一种电解处理装置和电解处理方法。

背景技术

以往，已知一种一边使作为基板的半导体晶圆(以下称为晶圆)与电解液接触一边进行电解处理来对晶圆的表面进行处理的方法。作为该电解处理，例如可以列举一边使晶圆与电镀液接触一边进行电解处理来在晶圆的表面形成镀膜的电镀处理(例如参照专利文献1)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2004-250747号公报

发明内容

发明要解决的问题

然而，在以往的电镀处理中，形成于晶圆的通孔的底面距以与晶圆的表面相向的方式设置的直接电极的距离比晶圆的表面距该直接电极的距离更远，因此通孔的底面的电场强度比晶圆的表面的电场强度小。因而，镀膜在通孔的底面的生长速度比在晶圆的表面的生长速度慢，因此存在以下担忧：在通孔的内部被镀膜填埋之前通孔的开口部就已被镀膜堵塞，从而无法利用镀膜将通孔的内部填埋。

实施方式的一个方式是鉴于上述的问题而完成的，其目的在于提供一种能够利用镀膜将形成于晶圆的通孔良好地填埋的电解处理装置和电解处理方法。

用于解决问题的方案

实施方式的一个方式所涉及的电解处理装置是对被处理基板进行电解处理的电解处理装置，其具备基板保持部和电解处理部。所述基板保持部具有间接阴极和绝缘性的保持基体，该保持基体用于保持所述被处理基板，该间接阴极设置在所述保持基体的内部且被施加负电压。所述电解处理部以面对所述基板保持部的方式设置，向所述被处理基板以及与所述被处理基板相接的电解液施加电压。

发明的效果

根据实施方式的一个方式，能够利用镀膜将形成于晶圆的通孔良好地填埋。

附图说明

图1是示出第一实施方式所涉及的电解处理装置的结构的概要的图。

图2A是示意性地表示参考例中的晶圆处的电场强度的放大截面图。

图2B是示意性地示出第一实施方式所涉及的晶圆处的电场强度的放大截面图。

图3A是示出第一实施方式所涉及的基板保持处理和盛放处理的概要的图。

图3B是示出第一实施方式所涉及的盛放处理后的状态的图。

图3C是示出第一实施方式所涉及的端子接触处理的概要的图。

图3D是示出第一实施方式所涉及的负电压施加处理的概要的图。

图3E是示出第一实施方式所涉及的电解处理的概要的图。

图4是表示第一实施方式所涉及的电解处理装置的电解处理中的处理过程的流程图。

图5是示出第二实施方式所涉及的电解处理装置的结构的概要的图。

图6A是示出第二实施方式所涉及的负电压施加处理和正电压施加处理的概要的图。