[实用新型]一种可控硅调光主动泄放控制电路有效
申请号: | 201822136463.7 | 申请日: | 2018-12-19 |
公开(公告)号: | CN209462665U | 公开(公告)日: | 2019-10-01 |
发明(设计)人: | 陶冬毅;刘明龙 | 申请(专利权)人: | 苏州菲达旭微电子有限公司 |
主分类号: | H05B33/08 | 分类号: | H05B33/08 |
代理公司: | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人: | 孙仿卫;吴芳 |
地址: | 215600 江苏省苏州市张家港经济技*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 边沿检测电路 幅度控制信号 控制电平信号 泄放控制电路 本实用新型 放电路单元 可控硅调光 时序 微分信号 泄放电流 转换 锁定 数字控制电路单元 模数转换电路 数模混合电路 数模转换电路 数字信号产生 可控硅导通 系统集成化 边沿检测 端口连接 母线电压 时间选择 数字信号 顺序连接 泄放电路 输出 下降沿 整形 母线 检测 | ||
本实用新型公开了可控硅调光主动泄放控制电路,包括顺序连接的用于检测可控硅导通时母线电压上/下降沿以输出微分信号的边沿检测电路单元、用于将微分信号转换为数字信号的整形及模数转换电路单元、用于根据数字信号产生相应泄放电路所需时序和幅度控制信号的数字控制电路单元、用于根据时序和幅度控制信号在相应的时间选择相应的控制电平信号的数模转换电路单元及用于输出受控制电平信号控制的主动泄放电流信号的V‑I转换及主动泄放电路单元,边沿检测电路单元、V‑I转换及主动泄放电路单元均与整流后的母线端口连接。本实用新型利用数模混合电路控制泄放电流的时间和幅度,不需要RC边沿检测线路产生锁定电流和锁定过渡时间,提高系统集成化程度。
技术领域
本实用新型涉及可控硅调光技术领域,特别涉及一种可控硅调光主动泄放控制电路。
背景技术
LED作为一种高效的新光源,由于具有寿命长,能耗低,节能环保,正广泛应用于各领域照明。LED的可调光技术随之发展得日益成熟,而可控硅调光是目前最常用的调光技术,其调光成本低,与现有线路兼容,无需重新布线。当灯具需要通过可控硅信号来调光时,电路中输入电压的波形因可控硅导通角度变化而偏离正弦波,也就改变了输入电压的有效值,从而实现调光。
但是可控硅调光破坏了电压正弦波的波形,从而降低了功率因素值,非正弦波形加大了谐波系数,还会产生严重的干扰信号。尤其是在低负载时调光线路非常不稳定,因此需要对可控硅调光的泄放电流进行控制。
现有技术如图1所示,利用独立的RC线路产生可控硅导通锁定及过渡电流,用独立的恒流电路产生可控硅保持电流,但是由于锁定电流需求较大,锁定时间及过渡时间又较长,因此,对外置的RC线路的大电阻值和大电容值都提出了较高的要求,使得外置RC线路体积较大的同时成本较高,无法系统集成,不利于驱动器的小型化发展。
实用新型内容
为了克服现有技术存在的不足,本实用新型提供了一种可控硅调光主动泄放控制电路,不需要RC边沿检测电路产生锁定电流和锁定过渡时间,有利于系统集成,降低整体解决方案的体积和成本,所述技术方案如下:
本实用新型提供了一种可控硅调光主动泄放控制电路,包括边沿检测电路单元、整形及模数转换电路单元、数字控制电路单元、数模转换电路单元及V-I转换及主动泄放电路单元,所述边沿检测电路单元、V-I转换及主动泄放电路单元均与整流后的母线电压端口连接;
所述边沿检测电路单元用于检测可控硅导通时母线电压的上升沿或下降沿,以输出微分信号,所述边沿检测电路单元的输出端与整形及模数转换电路单元的输入端连接;
所述整形及模数转换电路单元将所述微分信号转换为数字信号,所述整形及模数转换电路单元的输出端与数字控制电路单元的输入端连接;
所述数字控制电路单元根据所述数字信号产生相应泄放电路所需时序和幅度控制信号,所述数字控制电路单元的输出端与数模转换电路单元的输入端连接;
所述数模转换电路单元根据所述时序和幅度控制信号在相应的时间选择相应的控制电平信号,所述数模转换电路单元的输出端与V-I转换及主动泄放电路单元的输入端连接;
所述V-I转换及主动泄放电路单元输出受所述控制电平信号控制的主动泄放电流信号。
优选地,所述V-I转换及主动泄放电路单元包括放大器、第一功率晶体管和泄放电阻,所述放大器的同向输入端与所述数模转换电路单元的输出端连接,所述放大器的输出端与所述第一功率晶体管的栅极连接,所述第一功率晶体管的漏极与所述整流后的母线电压端口连接,所述放大器的反向输入端、第一功率晶体管的源极均与所述泄放电阻的一端连接,所述泄放电阻的另一端接地。
可选地,所述V-I转换及主动泄放电路单元包括第二功率晶体管,所述第二功率晶体管的栅极与所述数模转换电路单元的输出端连接,所述第二功率晶体管的漏极与所述整流后的母线电压端口连接,所述第二功率晶体管的源极接地。
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