[实用新型]一种高频双极化辐射单元

权利要求书

1.一种高频双极化辐射单元，包括介质基板、设置在介质基板正面的两条对角线上的两个极化正交的半波振子以及设置在介质基板背面的支撑结构，其特征在于：每个半波振子包括两个关于所述介质基板正面的中心对称的振子臂，相邻的两个振子臂之间具有缝隙；其中一个半波振子的两个振子臂的相靠近的一端之间设有第一馈电片，另外一个半波振子的两个振子臂的相靠近的一端之间设有第二馈电片，所述第一馈电片和第二馈电片呈正交布置但两者互不接触，第一馈电片和第二馈电片分别与所述支撑结构连接；所述介质基板背面的中心位置处设有耦合片，所述耦合片与所述两个半波振子耦合连接。

2.根据权利要求1所述的高频双极化辐射单元，其特征在于：所述耦合片包括设置在所述介质基板背面的中心位置处的圆形贴片以及连接在圆形贴片四周的四个方形贴片，四个方形贴片分别设置在所述介质基板的背面，且每个方形贴片对应一个所述缝隙。

3.根据权利要求1所述的高频双极化辐射单元，其特征在于：所述振子臂为一镂空的心型结构。

4.根据权利要求3所述的高频双极化辐射单元，其特征在于：所述心型结构由两个子单元组成，两个子单元的第一端端部相互连接并形成心型结构的心尖端，所述心尖端靠近所述介质基板正面的中心，两个子单元的第二端端部之间通过第一调节件连接，所述第一调节件设置在介质基板的正面，第一调节件一端位于心型结构的内部，另一端位于心型结构的外部并靠近对应的所述介质基板正面的角。

5.根据权利要求4所述的高频双极化辐射单元，其特征在于：所述介质基板的背面设有与所述第一调节件对应的第二调节件，所述第二调节件和所述第一调节件之间通过第一金属化过孔连接。

6.根据权利要求4所述的高频双极化辐射单元，其特征在于：所述介质基板的背面设有与所述子单元对应的第三调节件，所述第三调节件和对应的子单元之间通过第二金属化过孔连接；所述第三调节件靠近对应的子单元的第一端。

7.根据权利要求1所述的高频双极化辐射单元，其特征在于：所述支撑结构包括底座、设置在底座上的第一支撑柱和第二支撑柱以及穿设在底座上的第一同轴电缆和第二同轴电缆，所述第一同轴电缆包括第一内导体以及设置在第一内导体外周的第一外导体，所述第二同轴电缆包括第二内导体以及设置在第二内导体外周的第二外导体。

8.根据权利要求7所述的高频双极化辐射单元，其特征在于：所述第一支撑柱的头部依次穿过介质基板、其中一个半波振子的其中一个振子臂连接到第一馈电片的第一端，所述第一内导体的末端依次穿过介质基板、其中一个半波振子的另外一个振子臂连接到第一馈电片的第二端，所述第一外导体的末端穿过介质基板连接到其中一个半波振子的另外一个振子臂；所述第二支撑柱的头部依次穿过介质基板、另外一个半波振子的其中一个振子臂连接到到第二馈电片的第一端，所述第二内导体的末端依次穿过介质基板、另外一个半波振子的另外一个振子臂连接到第二馈电片的第二端，所述第二外导体的末端穿过介质基板连接到另外一个半波振子的另外一个振子臂。

9.根据权利要求7所述的高频双极化辐射单元，其特征在于：所述底座具有供所述第一同轴电缆、第二同轴电缆穿设的第一通孔、第二通孔，所述第一外导体焊接到所述第一通孔的内壁，所述第二外导体焊接到所述第二通孔的内壁。

10.根据权利要求1所述的高频双极化辐射单元，其特征在于：所述两个半波振子印刷在所述介质基板正面的两条对角线上。