[实用新型]一种半导体外壳定位装架结构有效
申请号: | 201822101600.3 | 申请日: | 2018-12-14 |
公开(公告)号: | CN209119063U | 公开(公告)日: | 2019-07-16 |
发明(设计)人: | 阚云辉;郭玉廷 | 申请(专利权)人: | 合肥中航天成电子科技有限公司;苏州中航天成电子科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/68 | 分类号: | H01L21/68;H01L23/10 |
代理公司: | 北京开林佰兴专利代理事务所(普通合伙) 11692 | 代理人: | 刘帅帅 |
地址: | 230088 安徽省合肥市*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 封口环 陶瓷体 直柱形 半导体外壳 本实用新型 侧置式 焊料环 装架 高精度对位 陶瓷体表面 金属化区 内腔形状 面贴合 内腔中 显微镜 嵌入 微调 遮挡 匹配 穿过 外部 | ||
本实用新型公开了一种半导体外壳定位装架结构,包括陶瓷体、封口环和直柱形本体,封口环叠置于陶瓷体表面设有的金属化区上方且两者面贴合,直柱形本体穿过封口环并嵌入陶瓷体设有的内腔中,直柱形本体分别与封口环和陶瓷体的内腔形状匹配,封口环外部用于套装侧置式焊料环,侧置式焊料环叠置于陶瓷体上方;本实用新型采用直柱形本体,其对封口环的遮挡程度极小,便于操作人员在显微镜下对封口环的位置进行微调,从而实现封口环的高精度对位。
技术领域
本实用新型属于半导体外壳技术领域,具体是涉及一种半导体外壳定位装架结构。
背景技术
钎焊作为当今高技术中一项精密的连接技术,在航空航天以及电子电力等工业中得到广泛的应用;目前,半导体外壳钎焊时,采用将焊料夹中式放置的焊接方法,如图1所示,封口环1、夹中式焊料环2、陶瓷体3从上到下依次叠置。而半导体外壳具有尺寸较小、阵列化程度高、定位要求精准较高的特点,封口环1不允许有歪斜偏移现象,因此,焊接过程中需要借助“T”形定位柱4,将陶瓷体3与封口环1对位处理;“T”形定位柱4下端穿过封口环1伸入陶瓷体3具有的内腔中定位,“T”形定位柱4上端具有用于压住封口环1上表面的台阶盖41,用于使封口环1在焊料熔化的时候下沉;但是,“T”形定位柱4存在以下问题:一方面,由于封口环1尺寸较小,机械加工能力有限,“T”形定位柱4组装完成后,台阶盖41压住封口环1,看不到封口环1,无法在显微镜下调整;另一方面,由于台阶盖41会遮挡封口环1,组装时,必须先组装封口环1、夹中式焊料环2和陶瓷体3,最后再组装“T”形定位柱4;由于各零件的尺寸较小,封口环1与陶瓷体3内腔之间容易错位,错位后“T”形定位柱4就装不进去,需要反复调整封口环1的位置,导致装架效率很低,装架时间一般需要2min。
发明内容
有鉴于此,本实用新型的目的在于提供一种半导体外壳定位装架结构,由于封口环与陶瓷体直接面贴合,无需采用台阶盖压住封口环,即其结构更为简单,便于加工;另外,由于其对封口环的遮挡程度极小,便于操作人员在显微镜下对封口环的位置进行微调。
为了达到上述目的,本实用新型一种半导体外壳定位装架结构,包括陶瓷体、封口环和直柱形本体,封口环叠置于陶瓷体表面设有的金属化区上方且两者面贴合,直柱形本体穿过封口环并嵌入陶瓷体设有的内腔中,直柱形本体分别与封口环和陶瓷体的内腔形状匹配,封口环外部用于套装侧置式焊料环,侧置式焊料环叠置于陶瓷体上方。
进一步,所述直柱形本体上端设有倒角。
进一步,所述倒角为圆倒角。
进一步,所述侧置式焊料环与封口环之间的间隙0.1~0.2mm。
本实用新型的有益效果在于:
1.本实用新型一种半导体外壳定位装架结构能够实现封口环的高精度对位,从而提高半导体外壳的成品质量;由于封口环与陶瓷体表面设有的金属化区能够直接面贴合,无需采用台阶盖压住封口环,这里采用直柱形本体,其对封口环的遮挡程度极小,便于操作人员在显微镜下对封口环的位置进行微调,从而实现封口环的高精度对位。
2.本实用新型一种半导体外壳定位装架结构对直柱形本体作进一步改进,这里,直柱形本体上端设有倒角,进一步降低直柱形本体对封口环的遮挡程度,便于操作人员在显微镜下观察封口环的内环位置。
附图说明
为了使本实用新型的目的、技术方案和有益效果更加清楚,本实用新型提供如下附图进行说明:
图1为现有技术中半导体外壳装架示意图;
图2为本实用新型一种半导体外壳定位装架结构示意图;
附图标记:1-封口环;2-夹中式焊料环;3-陶瓷体;4-“T”形定位柱;5-侧置式焊料环;6-直柱形本体;41-台阶盖。
具体实施方式
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造