[实用新型]一种晶片研磨设备及其研磨盘

说明书

本实用新型公开了一种晶片研磨设备及其研磨盘，后者包括：盘体，所述盘体的研磨面与待研磨晶片之间具有间隙；容置槽，所述容置槽开设于所述盘体并贯穿所述研磨面，所述容置槽内放置有研磨料，所述研磨料填充所述间隙并与所述待研磨晶片相接触；在靠近所述容置槽的一侧，所述容置槽的至少一侧侧壁和与之相交的所述研磨面所形成的夹角为钝角。其显著降低了冲击力的强度，使得研磨料在晶片与研磨盘之间流动时，对晶片表面的损伤较小，因此降低了晶片出现划伤或产生破损的几率，进而显著提高了晶片的合格率，降低了生产成本。

技术领域

本实用新型涉及晶片加工设备技术领域，尤其涉及一种用于晶片研磨设备的研磨盘。本实用新型还提供一种包括该研磨盘的晶片研磨设备。

背景技术

砷化镓晶片加工工艺中，在对晶片进行抛光时，为了提高平整度，多采用研磨盘100进行研磨，如图1所示，晶片设置在两片研磨盘100之间，两研磨盘100反向转动，以通过研磨盘100的盘面对晶片表面进行研磨。具体的，如图2所示，在研磨盘100朝向晶片一侧的表面上开设有垂直于厚度方向开设的容置槽200，用于研磨的金刚砂设置在容置槽200内，并通过与晶片的接触实现晶片表面研磨。经研磨后的晶片虽然表面平整度高，表面相对细腻，但是，由于容置槽200为垂直开设的直角槽，容置槽侧壁与研磨盘表面的夹角β为90°，金刚砂在晶片与研磨盘100之间流动时，在离心力的作用下，金刚砂垂直作用在晶片的表面，导致晶片表面出现划伤或产生破损；并且，一个晶片的破损导致一整盘晶片的破损或严重划伤，造成晶片返工，导致晶片的合格率较低，同时造成生产成本的增加。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种晶片研磨设备及其研磨盘，以解决或至少部分解决上述至少一个问题。

为实现上述目的，本实用新型提出的技术方案如下：

一种研磨盘，用于晶片研磨设备，包括：

盘体，所述盘体的研磨面与待研磨晶片之间具有间隙；

容置槽，所述容置槽开设于所述盘体并贯穿所述研磨面，所述容置槽内放置有研磨料，所述研磨料填充所述间隙并与所述待研磨晶片相接触；

在靠近所述容置槽的一侧，所述容置槽的至少一侧侧壁和与之相交的所述研磨面所形成的夹角为钝角。

在工作过程中，盘体的研磨面与待研磨晶片相接触，在驱动部件的驱动下，盘体自转并通过容置槽内的研磨料研磨晶体。研磨料随着盘体自转时，在离心力的作用下，研磨料会与容置槽的边缘，即容置槽的侧壁与研磨面的相交处发生碰撞，由于容置槽的侧壁与所述研磨面形成的夹角为钝角，研磨料作用在晶片上的冲击力方向与晶片的表面呈钝角，与垂直作用在晶片上的冲击力相比，斜向作用的冲击力，其直接作用在晶片上的力仅为冲击力在竖直方向上的分离，从而显著降低了冲击力的强度，使得研磨料在晶片与研磨盘之间流动时，对晶片表面的损伤较小，因此降低了晶片出现划伤或产生破损的几率，进而显著提高了晶片的合格率，降低了生产成本。

可选地，所述容置槽的至少一个侧壁为平面，所述容置槽的侧壁与所述研磨面所成的夹角为钝角。

可选地，所述容置槽在其延伸方向上贯通所述盘体的侧壁，且所述容置槽的两侧壁均为平面。

可选地，所述容置槽为梯形槽，所述梯形槽的开口向靠近所述研磨面的方向渐扩。

可选地，所述梯形槽为等腰梯形槽。

可选地，所述容置槽的至少一个侧壁为弧形面，在靠近所述容置槽的一侧，所述弧形面与所述研磨面相交处的切线方向与所述研磨面所形成的夹角为钝角。

可选地，所述容置槽在其延伸方向上贯通所述盘体的侧壁，且所述容置槽的两侧侧壁均为弧形面。

可选地，所述钝角的角度为93°-120°。

可选地，所述钝角的角度为95°-100°。