[实用新型]一种阵列基板及显示装置有效
申请号: | 201822079204.5 | 申请日: | 2018-12-10 |
公开(公告)号: | CN209014875U | 公开(公告)日: | 2019-06-21 |
发明(设计)人: | 杨春辉 | 申请(专利权)人: | 惠科股份有限公司 |
主分类号: | G02F1/1362 | 分类号: | G02F1/1362;H01L27/12 |
代理公司: | 深圳中一专利商标事务所 44237 | 代理人: | 兰艳林 |
地址: | 518000 广东省深圳市宝安区石岩街道水田村民*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 数据线 间隔层 扫描线 栅绝缘层 阵列基板 本实用新型 衬底基板 显示装置 重叠区域 数据线负载 垂直交错 寄生电容 交叉布置 保护层 层间隔 充电率 画素 减小 交错 | ||
1.一种阵列基板,其特征在于,包括:
第一衬底基板;
扫描线,设于所述第一衬底基板上;
栅绝缘层,设于所述扫描线上;
间隔层,设于所述栅绝缘层上;
数据线,设于所述间隔层上,与所述扫描线交叉布置;以及
保护层,设于所述间隔层和所述数据线上;
所述间隔层位于所述数据线与所述扫描线交错的重叠区域。
2.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述间隔层为半导体层。
3.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述间隔层为绝缘层。
4.如权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,所述半导体层为无定形硅层、铟镓锌氧化物层或低温多晶硅层。
5.如权利要求1至4任一项所述的阵列基板,其特征在于,所述保护层和栅绝缘层为SiNx层或SiOx层或Al2O3层。
6.一种显示装置,其特征在于,包括相对设置的第一基板和第二基板,以及设置于所述第一基板和第二基板之间的液晶层,所述第一基板包括如权利要求1至5任一项所述的阵列基板,所述第二基板包括:
第二衬底基板;
色阻层,设于所述第二衬底基板上;
黑色矩阵,设于所述第二衬底基板上;以及
电极层,设于所述色阻层和所述黑色矩阵上。
7.如权利要求6所述的显示装置,其特征在于,所述间隔层的厚度d5满足以下公式:
其中,ξ1表示所述保护层和所述栅绝缘层的介电常数;ξ2表示所述液晶层的介电常数;ξ3表示所述间隔层的介电常数;S表示所述数据线与所述扫描线的正对交叠面积;k表示静电力常量;d1表示未设置所述间隔层时,所述保护层与所述电极层的距离;d2表示所述保护层的厚度;d3表示所述栅绝缘层的厚度;d4表示设置有所述间隔层时,所述保护层与所述电极层的距离。
8.如权利要求7所述的显示装置,其特征在于,所述间隔层的厚度d5为所述保护层的厚度d2的0.5倍至1倍。
9.如权利要求8所述的显示装置,其特征在于,所述间隔层的厚度d5为所述保护层的厚度d2的0.8倍。
10.一种显示装置,其特征在于,包括相对设置的彩膜基板和阵列基板,以及设置于所述彩膜基板和阵列基板之间的液晶层,所述阵列基板包括:
第一衬底基板;
扫描线,设于所述第一衬底基板上;
栅绝缘层,设于所述扫描线上;
半导体层,设于所述栅绝缘层上;
数据线,设于所述半导体层上,与所述扫描线交叉布置;以及
保护层,设于所述半导体层和所述数据线上;
所述彩膜基板包括:
第二衬底基板;
色阻层,设于所述第二衬底基板上;
黑色矩阵,设于所述第二衬底基板上;以及
电极层,设于所述色阻层和所述黑色矩阵上;
所述半导体层的厚度为所述保护层的厚度的0.8倍。
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