[实用新型]用于反应腔室的整流件及反应腔室

说明书

本实用新型涉及一种用于反应腔室的整流件及反应腔室，反应腔室包括用于安装晶圆的基座，整流件用于设置在基座上方，整流件包括整流环，整流环为平面圆环形。该整流件能够优化等离子体在反应腔室内的运动，调节晶圆上方气体密度分布，进而提升深硅刻蚀的均匀性。

技术领域

本实用新型涉及半导体设备领域，特别涉及一种用于反应腔室的整流件及包括该整流件的反应腔室。

背景技术

通过深硅刻蚀制造微结构在微机电系统(MEMS)、微流体器件和先进封装等领域中有重要应用，是工业生产中非常重要的一种工艺过程。在大体积腔室、大尺寸晶圆上提升刻蚀工艺性能是降低生产成本的重要方法。目前主流的生产线晶圆尺寸有6英寸、8英寸和12英寸等。干法刻蚀工艺的机理基于等离子体的产生、运动和转化，其中等离子体的运动是最重要的部分。通过对刻蚀机组件进行改进，进而对反应腔室内等离子体的流动进行优化，是提升深硅刻蚀均匀性的重要手段。

目前通常采用锥形整流筒优化等离子体在腔室内的流动，锥形整流筒安装于反应腔室的基座上方。图1a和图1b分别显示现有的锥形整流筒的侧视图和立体图。锥形整流筒可将腔室分割成两个部分，上部分用于产生等离子体，下部分用于与晶圆产生刻蚀作用。通过锥形整流筒将等离子体的产生过程与晶圆刻蚀过程分开，有利于获得均匀的等离子体，从而提高刻蚀的均匀性。但是，现有锥形整流筒的缺点在于整流效果有待提高，且加工复杂、成本高。

实用新型内容

本实用新型的目的是提供一种用于反应腔室的整流件，以优化等离子体在反应腔室内的运动，进而提升深硅刻蚀的均匀性。

本实用新型一方面提出一种用于反应腔室的整流件，所述反应腔室包括用于安装晶圆的基座，所述整流件用于设置在所述基座上方，所述整流件包括整流环，所述整流环为平面圆环形。

优选地，所述整流环的外周设有多个固定孔。

优选地，所述多个固定孔沿所述整流环的外周均匀分布。

优选地，所述固定孔为耳状。

优选地，所述整流件由铝或陶瓷制成。

优选地，所述整流环的外周直径范围为370～380mm，所述整流环的内周直径范围为335～345mm。

优选地，还包括导流环，所述导流环为圆筒形，所述导流环的上端连接于所述整流环的内周。

优选地，所述导流环的高度范围为10～20mm。

本实用新型的另一方面提出一种反应腔室，所述反应腔室包括用于安装晶圆的基座，所述反应腔室还包括所述的用于反应腔室的整流件，所述整流件设置在所述基座上方。

优选地，所述整流件固定连接于所述反应腔室的内壁。

本实用新型的有益效果在于：整流环为平面圆环形，其设置于反应腔室的基座上方时，能够优化等离子体在反应腔室内的运动，调控晶圆上方气体密度分布，进而提升深硅刻蚀的均匀性。整流件还可包括圆筒形的导流环，从而进一步引导等离子体在反应腔室内的运动，能够提升大体积反应腔室、大尺寸晶圆的深硅刻蚀均匀性。此外，本实用新型的整流件相比于锥形整流筒加工更加简单。

本实用新型的装置具有其它的特性和优点，这些特性和优点从并入本文中的附图和随后的具体实施方式中将是显而易见的，或者将在并入本文中的附图和随后的具体实施方式中进行详细陈述，这些附图和具体实施方式共同用于解释本实用新型的特定原理。

附图说明

通过结合附图对本实用新型示例性实施例进行更详细的描述，本实用新型的上述以及其它目的、特征和优势将变得更加明显，其中，在本实用新型示例性实施例中，相同的附图标记通常代表相同部件。

图1a和图1b分别显示现有的锥形整流筒的侧视图和立体图；