[实用新型]一种用于阴极弧光放电的屏蔽装置

说明书

本实用新型提供了一种用于阴极弧光放电的屏蔽装置，涉及电弧离子镀技术领域。其包括：靶材，其表面用于产生弧光放电；屏蔽罩，所述屏蔽罩包括喇叭口和屏蔽罩主体；所述屏蔽罩主体环绕封围设置所述靶材的周边，并与所述靶材具有预定间隙，所述喇叭口与所述屏蔽罩主体连接处设有伸出以覆盖部分所述靶材的靶面的延伸部，所述延伸部与所述靶材的靶面间具有预定间隙；支架，用于将所述屏蔽罩安装至电弧离子镀设备的腔室内，所述屏蔽罩安装于所述支架上。本实用新型提供了一种用于阴极弧光放电的屏蔽装置，以对放电过程中的电子进行屏蔽，有效增加电子的运动行程，提升等离子体浓度，提高电弧离子镀粒子的离化率。

技术领域

本实用新型涉及电弧离子镀技术领域，特别是涉及一种用于阴极弧光放电的屏蔽装置。

背景技术

多弧离子镀膜技术是在真空条件下，通过控制电弧在靶材表面移动，来蒸发靶材金属，并在基片上施加一个高偏压，使得电弧蒸发出来的靶材粒子高速轰击在基片上，形成薄膜的过程。由于靶材表面上的电弧是一个低电压、大电流的直流电源来供给，所以本身只能维持电弧不能自发产生电弧，产生电弧的时候需要单独的引弧结构。引弧时，通过引弧针施加阳极电，靶材施加阴极电，引弧针短暂接触靶材使得阴阳极短暂短路，然后引弧针在离开靶材表面时，阴阳极电路出现击穿电弧，在通过电弧电源提供一个稳定的低电压、大电流输出，实现电弧的自我维持。

目前现阶段阴极弧光放电的屏蔽(灭弧)罩，主要是平面的，低于靶面2-5mm，电位悬浮(接地)，减少弧斑往远离靶面方向运动。其缺点，大量电子从靶面溢出后直接受电场作用，回到腔体(接地端)上，不能有效的进行弧蒸发过程中的粒子的离化，弧光放电离化率低，弧源放电过程中的大颗粒溢出后不能有效的遮挡，沉积在基材上，影响成膜质量。同时，其灭弧效果较差，弧光远离靶面方向运动的风险较高，容易造成阴阳极之间的短路，以及拆卸清理较困难。

实用新型内容

本实用新型的一个目的是要提供一种用于阴极弧光放电的屏蔽装置，能够有效地对阴极靶材表面及周侧的电弧进行灭弧。

本实用新型的另一个目的是要提供一种用于阴极弧光放电的屏蔽装置，以对放电过程中的电子进行屏蔽，有效增加电子的运动行程，提升等离子体浓度，提高电弧离子镀粒子的离化率。

特别地，本实用新型提供了一种用于阴极弧光放电的屏蔽装置，包括：靶材，其表面用于产生弧光放电；

屏蔽罩，所述屏蔽罩包括喇叭口和屏蔽罩主体；所述屏蔽罩主体环绕封围设置所述靶材的周边，并与所述靶材具有预定间隙，所述喇叭口与所述屏蔽罩主体连接处设有伸出以覆盖部分所述靶材的靶面的延伸部，所述延伸部与所述靶材的靶面间具有预定间隙；

支架，用于将所述屏蔽罩安装至电弧离子镀设备的腔室内，所述屏蔽罩安装于所述支架上。

可选地，所述靶材为圆柱形，所述屏蔽罩主体为与所述靶材相适应的空心圆柱形形状。

可选地，所述靶材为矩形，所述屏蔽罩主体为与所述靶材相适应的空心矩形柱形状。

可选地，所述喇叭口靠近所述靶材的靶面一端的长度/直径小于所述喇叭口远离所述靶材的靶面一端的长度/直径。

可选地，所述屏蔽罩与所述支架卡套式装配。

可选地，所述支架上设置有L形卡槽，所述屏蔽罩主体的外表面设置有与所述L形卡槽相应的凸起。

可选地，所述屏蔽罩与所述支架可拆卸式连接。

可选地，所述屏蔽罩与所述支架通过螺纹/螺栓连接。

可选地，所述预定间隙的为1-5mm。

所述支架通过带有绝缘套的螺栓紧固安装于电弧离子镀设备的腔室内的阳极座。