[实用新型]射频开关电路、开关芯片及通信终端

说明书

本实用新型公开了一种射频开关电路、开关芯片及通信终端，射频开关电路包括射频输入端、射频输出端、开关电路及栅极电压控制电路；开关电路包括多个第一开关管，多个第一开关管依次串联连接于射频输入端和射频输出端之间，多个第一开关管中的至少一个第一开关管的源极和漏极并联有至少一个第二开关管；其中，第一开关管和第二开关管的源极相互连接，漏极相互连接；多个第一开关管和第二开关管的栅极分别与栅极电压控制电路连接。本实用新型有效的解决了晶体管单元的耐压能力问题，提高了开关性能。

技术领域

本实用新型涉及射频技术领域，特别涉及一种射频开关电路、开关芯片及通信终端。

背景技术

射频开关，包括开关核和开关控制器，用于控制射频通信号连接发射天线的通断。随着无线技术的迅猛发展，以LTE技术为代表3G/4G的无线技术的多模式多频段的智能手机系统中,其模式和频段的数量在不断地增加，例如工作模式有GSM、TDSCDMA、WCDMA和TDD-LTE等等，频段覆盖从700MHz到6GHz的范围，智能手机等移动终端通过射频开关选择所需的功率放大倍率，建立模式和频段信号的通道，通过控制不同信号的通断来实现在不同模式和频段间切换。这就需要射频开关在保持线性等性能的情况下，具有更多的通道路径来处理更广的频段。

开关核由多个单元电路构成，每个单元电路均由多个晶体管支路串联而成。由于单元电路中各个晶体管承受的电压不一致，两侧的晶体管承受更高的电压，导致单元电路的总体耐压能力降低，晶体管由于承受的电压不一致而更容易导致损坏。

实用新型内容

本实用新型的主要目的是提出一种射频开关电路、开关芯片及通信终端，旨在解决晶体管单元的耐压能力，提高开关性能。

为实现上述目的，本实用新型提出一种射频开关电路，所述射频开关电路包括射频输入端、射频输出端、开关电路及栅极电压控制电路；

所述开关电路包括多个第一开关管，多个所述第一开关管依次串联连接于所述射频输入端和所述射频输出端之间，多个所述第一开关管中的至少一个所述第一开关管的源极和漏极并联有至少一个第二开关管；其中，

所述第一开关管和所述第二开关管的源极相互连接，漏极相互连接；

多个所述第一开关管和所述第二开关管的栅极分别与所述栅极电压控制电路连接。

可选地，所述栅极电压控制电路包括公共栅极偏置电阻、第一电阻和第一电容；

所述公共栅极偏置电阻的第一端与多个所述第一开关管和所述第二开关管的栅极连接，所述公共栅极偏置电阻的第二端与所述第一电阻的第一端和所述第一电容的第一端分别连接，所述第一电阻的第二端用于输入栅极控制电压，所述第一电容的第二端接地。

可选地，所述开关电路中的每一所述第一开关管的源极和漏极并联至少一个所述第二开关管。

可选地，所述开关电路中的第一开关管的数量为125个。

可选地，多个所述第一开关管自所述射频输入端至所述射频输出端的依次连接顺序划分为第一组、第二组和第三组，所述第一组中的每一第一开关管的源极和漏极并联至少一个所述第二开关管，所述第三组中的每一第一开关管的源极和漏极并联至少一个所述第二开关管。

可选地，多个所述第一开关管自所述射频输入端至所述射频输出端的依次连接顺序划分为第一组、第二组和第三组，所述第二组中的每一第一开关管的源极和漏极并联至少一个所述第二开关管。

可选地，所述开关电路中的第一开关管的数量为159个，所述第一开关管并联至少一个第二开关管的数量为72个。

可选地，所述射频开关电路还包括体极控制电路，所述体极控制电路包括公共体极偏置电阻、第二电阻和第二电容；