[实用新型]一种高稳定性太阳能电池有效
申请号: | 201821983364.6 | 申请日: | 2018-11-28 |
公开(公告)号: | CN208923169U | 公开(公告)日: | 2019-05-31 |
发明(设计)人: | 秦校军;赵志国;熊继光;董超;邬俊波 | 申请(专利权)人: | 中国华能集团有限公司;中国华能集团清洁能源技术研究院有限公司 |
主分类号: | H01L31/048 | 分类号: | H01L31/048;H01L31/0216;H01L31/06 |
代理公司: | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人: | 徐文权 |
地址: | 100031 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电子传输层 空穴传输层 无机钙钛矿 第二电极 第一电极 玻璃层 封装层 活性层 阻隔层 太阳能电池 高稳定性 本实用新型 包覆 电池 | ||
本实用新型公开了一种高稳定性太阳能电池,包括封装层、玻璃层、阻隔层、第一电极层、电子传输层、无机钙钛矿活性层、空穴传输层及第二电极层,其中,玻璃层、第一电极层、电子传输层、无机钙钛矿活性层、空穴传输层、阻隔层及第二电极层自下到上依次分布,封装层位于玻璃层上,且封装层包覆于阻隔层、第一电极层、电子传输层、无机钙钛矿活性层、空穴传输层及第二电极层外,该电池的稳定性较好。
技术领域
本实用新型属于薄膜太阳能电池器件设计及制备领域,涉及一种高稳定性太阳能电池。
背景技术
随着化石能源的日益枯竭和其使用所带来的高昂的环境成本,可再生清洁能源的开发和利用受到广泛的关注。太阳能光伏发电技术和产品在全球范围内得到了高速增长,成为最具潜力的清洁能源。近年来发现的钙钛矿型太阳能电池由于高转换效率、低成本、环境友善、可挠式产品化等优点备受关注。
不过,在目前国内外的研发过程中,人们发现大部分结构的钙钛矿型太阳能电池虽然能够较为容易的获得较高的光电转换效率,但是,在测试和保存较长一段时间之后,电池器件的效能会发生明显的下降。因此稳定性差是影响钙钛矿型太阳能电池走向实际化应用的最大阻碍之一。钙钛矿型太阳能电池稳定性不佳,至少受到以下几个因素的综合影响:首先是通常使用较多的钙钛矿材料本身为无机-有机杂化结构,其中的有机基团易受到环境中水、氧及紫外光辐射等影响而发生老化、变质;其次,高效率电池的空穴传输层多使用有机材料如Spiro-OMeTAD等,而实际上这种材料的耐候性也欠佳,而如果使用CuSCN等无机材料,则需要在电池结构上进行优化,降低势垒的同时保证金、银等金属不与其发生电化学反应。
实用新型内容
本实用新型的目的在于克服上述现有技术的缺点,提供了一种高稳定性太阳能电池,该电池的稳定性较好。
为达到上述目的,本实用新型所述的高稳定性太阳能电池包括封装层、玻璃层、阻隔层、第一电极层、电子传输层、无机钙钛矿活性层、空穴传输层及第二电极层,其中,玻璃层、第一电极层、电子传输层、无机钙钛矿活性层、空穴传输层、阻隔层及第二电极层自下到上依次分布,封装层位于玻璃层上,且封装层包覆于阻隔层、第一电极层、电子传输层、无机钙钛矿活性层、空穴传输层及第二电极层外。
电子传输层的厚度为25nm。
无机钙钛矿活性层的厚度为600nm。
空穴传输层的厚度为50nm。
阻隔层的厚度为5-20nm。
第二电极层的厚度为60-200nm。
封装层的厚度为15-20nm。
玻璃层的底部设置有反射面板,其中,太阳光光线分为两路,其中一路直接照射在玻璃层上,另一路经反射面板反射后入射到玻璃层上。
还包括控制器及用于带动玻璃层转动的驱动装置,其中控制器的输出端与驱动装置的控制端相连接。
本实用新型具有以下有益效果:
本实用新型所述的高稳定性太阳能电池包括封装层、玻璃层、阻隔层、第一电极层、电子传输层、无机钙钛矿活性层、空穴传输层及第二电极层,其中,阻隔层位于空穴传输层与第二电极层之间,以阻隔空穴传输层与第二电极层,保证第二电极层不与空穴传输层发生电化学反应,另外,本实用新型中封装层位于玻璃层上,且包覆于第一电极层、电子传输层、无机钙钛矿活性层、空穴传输层及第二电极层外,从而起到最终封装的效果,为整个器件阻隔水、氧等易于引起电池老化的因素,进一步提高太阳能电池的稳定性。
附图说明
图1为本实用新型的结构示意图。
其中,1为玻璃层、2为第一电极层、3为电子传输层、4为无机钙钛矿活性层、5为空穴传输层、6为阻隔层、7为第二电极层、8为封装层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的