[实用新型]一种同组份砷化镓多晶大合成量工艺装置有效
申请号: | 201821981569.0 | 申请日: | 2018-11-29 |
公开(公告)号: | CN209194102U | 公开(公告)日: | 2019-08-02 |
发明(设计)人: | 于会永;冯佳峰;王文昌;赵春峰;袁韶阳;荆爱明;穆成锋;张军军 | 申请(专利权)人: | 大庆溢泰半导体材料有限公司 |
主分类号: | C30B28/06 | 分类号: | C30B28/06;C30B29/42 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 163000 黑龙江省大庆市高新区火*** | 国省代码: | 黑龙江;23 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 合成 加热炉 合成量 加热室 多晶 同组 压力传感器 工艺装置 固定卡座 控制箱体 砷化镓 半导体材料 制备技术领域 本实用新型 温度传感器 保护气体 从前至后 合成反应 密封作用 生产效率 压力平衡 整体装置 抽真空 高纯砷 高纯镓 密封塞 内压力 基面 内壁 密封 失衡 | ||
1.一种同组份砷化镓多晶大合成量工艺装置,包括加热炉(1)、加热室(2)和合成仓(3)以及控制箱体(4),其特征在于:所述加热炉(1)的内部设有加热室(2),所述加热炉(1)的基面固定安装有控制箱体(4),所述加热室(2)的内部设有合成仓(3),所述合成仓(3)的内壁底部固定安装有固定卡座(12),所述固定卡座(12)的顶部左侧从前至后依次设有温度传感器(13)和压力传感器(14),所述固定卡座(12)的内部放置有石英舟(15),所述石英舟(15)的内部从前至后交叠放置有高纯砷(16)和高纯镓(17),所述合成仓(3)的一侧贯通控制箱体(4)的内部,所述控制箱体(4)的基面左侧开设有通风孔(18),所述控制箱体(4)的内部贴近通风孔(18)的一侧固定安装有真空泵(10),所述真空泵(10)与合成仓(3)的内侧之间固定安装有连接管(11),所述的控制箱体(4)的基面右侧嵌入安装控制面板(5),所述控制箱体(4)的基面位于控制面板(5)的下侧安装有氮气进气管(8),所述氮气进气管(8)的另一端贯通控制箱体(4)的内部连接于合成仓(3),所述氮气进气管(8)上设置有连接阀(9),所述控制箱体(4)的基面上位于合成仓(3)的一侧固定安装有进料仓门(6),所述进料仓门(6)与控制箱体(4)的左侧连接处固定安装有门铰链(602),所述进料仓门(6)的基面上中心处固定安装有把手(601),所述进料仓门(6)的背部贴近合成仓(3)的一侧固定安装有密封塞(603),所述进料仓门(6)与控制箱体(4)的右侧固定安装有锁紧机构(7)。
2.根据权利要求1所述的一种同组份砷化镓多晶大合成量工艺装置,其特征在于:所述控制面板(5)上设有显示屏和多组控制按钮,且所述控制面板(5)与真空泵(10)、温度传感器(13)、压力传感器(14)内部电性连接。
3.根据权利要求1所述的一种同组份砷化镓多晶大合成量工艺装置,其特征在于:所述石英舟(15)共设有两组,且所述石英舟(15)的一侧设有套环。
4.根据权利要求1所述的一种同组份砷化镓多晶大合成量工艺装置,其特征在于:所述高纯砷(16)共设有多组。
5.根据权利要求1所述的一种同组份砷化镓多晶大合成量工艺装置,其特征在于:所述高纯镓(17)共设有多组。
6.根据权利要求1所述的一种同组份砷化镓多晶大合成量工艺装置,其特征在于:所述通风孔(18)等间距开设有多组。
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