[实用新型]一种同组份砷化镓多晶大合成量工艺装置有效

专利信息
申请号: 201821981569.0 申请日: 2018-11-29
公开(公告)号: CN209194102U 公开(公告)日: 2019-08-02
发明(设计)人: 于会永;冯佳峰;王文昌;赵春峰;袁韶阳;荆爱明;穆成锋;张军军 申请(专利权)人: 大庆溢泰半导体材料有限公司
主分类号: C30B28/06 分类号: C30B28/06;C30B29/42
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 163000 黑龙江省大庆市高新区火*** 国省代码: 黑龙江;23
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摘要:
搜索关键词: 合成 加热炉 合成量 加热室 多晶 同组 压力传感器 工艺装置 固定卡座 控制箱体 砷化镓 半导体材料 制备技术领域 本实用新型 温度传感器 保护气体 从前至后 合成反应 密封作用 生产效率 压力平衡 整体装置 抽真空 高纯砷 高纯镓 密封塞 内压力 基面 内壁 密封 失衡
【权利要求书】:

1.一种同组份砷化镓多晶大合成量工艺装置,包括加热炉(1)、加热室(2)和合成仓(3)以及控制箱体(4),其特征在于:所述加热炉(1)的内部设有加热室(2),所述加热炉(1)的基面固定安装有控制箱体(4),所述加热室(2)的内部设有合成仓(3),所述合成仓(3)的内壁底部固定安装有固定卡座(12),所述固定卡座(12)的顶部左侧从前至后依次设有温度传感器(13)和压力传感器(14),所述固定卡座(12)的内部放置有石英舟(15),所述石英舟(15)的内部从前至后交叠放置有高纯砷(16)和高纯镓(17),所述合成仓(3)的一侧贯通控制箱体(4)的内部,所述控制箱体(4)的基面左侧开设有通风孔(18),所述控制箱体(4)的内部贴近通风孔(18)的一侧固定安装有真空泵(10),所述真空泵(10)与合成仓(3)的内侧之间固定安装有连接管(11),所述的控制箱体(4)的基面右侧嵌入安装控制面板(5),所述控制箱体(4)的基面位于控制面板(5)的下侧安装有氮气进气管(8),所述氮气进气管(8)的另一端贯通控制箱体(4)的内部连接于合成仓(3),所述氮气进气管(8)上设置有连接阀(9),所述控制箱体(4)的基面上位于合成仓(3)的一侧固定安装有进料仓门(6),所述进料仓门(6)与控制箱体(4)的左侧连接处固定安装有门铰链(602),所述进料仓门(6)的基面上中心处固定安装有把手(601),所述进料仓门(6)的背部贴近合成仓(3)的一侧固定安装有密封塞(603),所述进料仓门(6)与控制箱体(4)的右侧固定安装有锁紧机构(7)。

2.根据权利要求1所述的一种同组份砷化镓多晶大合成量工艺装置,其特征在于:所述控制面板(5)上设有显示屏和多组控制按钮,且所述控制面板(5)与真空泵(10)、温度传感器(13)、压力传感器(14)内部电性连接。

3.根据权利要求1所述的一种同组份砷化镓多晶大合成量工艺装置,其特征在于:所述石英舟(15)共设有两组,且所述石英舟(15)的一侧设有套环。

4.根据权利要求1所述的一种同组份砷化镓多晶大合成量工艺装置,其特征在于:所述高纯砷(16)共设有多组。

5.根据权利要求1所述的一种同组份砷化镓多晶大合成量工艺装置,其特征在于:所述高纯镓(17)共设有多组。

6.根据权利要求1所述的一种同组份砷化镓多晶大合成量工艺装置,其特征在于:所述通风孔(18)等间距开设有多组。

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