[实用新型]一种多温区砷化镓合成装置

说明书

本实用新型涉及一种合成装置，尤其为一种多温区砷化镓合成装置，包括反应器外壳体、反应器内壳体、第一反应腔、第二反应腔和第三反应腔，所述反应器外壳体的底部固定安装有支撑架，所述支撑架上固定连接有安装板，所述反应器外壳体底部固定安装有三组导出器，所述反应器外壳体基面固定安装有三组观察窗口，所述反应器外壳体顶部固定安装有三组第一导入器和第二导入器，所述第一导入器、第二导入器和导出器均包括导管、活塞、推把和出进液管，所述活塞和推把通过连接杆固定连接，所述反应器外壳体的内部固定安装有反应器内壳体，本实用新型整体装置结构简单，安全系数高，方便快捷，多温区，具有一定的推广作用。

技术领域

本实用新型涉及一种合成装置，具体为一种多温区砷化镓合成装置。

背景技术

砷化镓是镓和砷两种元素所合成的化合物，也是重要的IIIA族、VA族化合物半导体材料，用来制作微波集成电路、红外线发光二极管、半导体激光器和太阳电池等元件，而实验室中对于砷化镓在合成过程中，需要对其进行不同温度下其反应程度进行记录分析，以得出最佳反应温度，因此需要一种多温区砷化镓合成装置对上述问题做出改善。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种多温区砷化镓合成装置，以解决上述背景技术中提出的问题。

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：

一种多温区砷化镓合成装置，包括反应器外壳体、反应器内壳体、第一反应腔、第二反应腔和第三反应腔，所述反应器外壳体的底部固定安装有支撑架，所述支撑架上固定连接有安装板，所述反应器外壳体底部固定安装有三组导出器，所述反应器外壳体基面固定安装有三组观察窗口，所述反应器外壳体顶部固定安装有三组第一导入器和第二导入器，所述第一导入器、第二导入器和导出器均包括导管、活塞、推把和出进液管，所述活塞和推把通过连接杆固定连接，所述反应器外壳体的内部固定安装有反应器内壳体，所述反应器内壳体和第一导入器、第二导入器、导出器均通过通孔贯通连接，所述反应器内壳体的内部从左至右依次设置有第一反应腔、第二反应腔和第三反应腔，所述第二反应腔和第一反应腔、第三反应腔均通过隔层固定连接，所述第一反应腔、第二反应腔和第三反应腔底部均设置有导流层，所述第一反应腔、第二反应腔和第三反应腔的内部均放置有砷化镓溶液，所述第一反应腔、第二反应腔和第三反应腔外表面均设置有导热层，所述第一反应腔的外表面设置有低温加热区，所述第二反应腔的外表面设置有常温加热区，所述第三反应腔的外表面设置有高温加热区。

优选的，所述支撑架呈倒锥形状。

优选的，所述活塞的外径大小和导管的内径大小相等。

优选的，所述反应器外壳体和反应器内壳体之间充设有氮气。

优选的，所述导流层和出进液管均呈倾斜状，且倾斜角度为三十度。

优选的，所述反应器外壳体和反应器内壳体均呈圆柱体形状，且反应器内壳体的直径大小小于反应器外壳体的直径大小。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：

1、本实用新型中，使用时，通过分别设置在第一反应腔、第二反应腔和第三反应腔外表面的低温加热区、常温加热区和高温加热区有利于用户在多温区的条件下对同一化学反应进行操作，并对其进行数据整理、分析和记录，且通过设置的导热层有效的对其个反应腔进行热传递，避免局部温度不同导致反应的不彻底，造成反应操作失败，并通过设置的隔层将多个腔体尽心分隔，有效的使得多个腔体在同一时间反应的同时互不影响，同时通过设置的反应器外壳体和反应器内壳体双层壳体结构，避免反应过程中因意外爆炸造成物料的泄漏污染地面以及形成安全事故，有效的增加了整体装置的安全系数，于此同时，通过充设在反应器外壳体与反应器内壳体之间的氮气，利用惰性气体的稳定性，从而大大降低了整体装置的爆炸系数，进一步增加了整体装置的安全性。