[实用新型]一种基于声表面波和空腔型薄膜体声波组合谐振器有效
申请号: | 201821978680.4 | 申请日: | 2018-11-27 |
公开(公告)号: | CN208608966U | 公开(公告)日: | 2019-03-15 |
发明(设计)人: | 不公告发明人 | 申请(专利权)人: | 杭州左蓝微电子技术有限公司 |
主分类号: | H03H9/17 | 分类号: | H03H9/17;H03H9/25;H03H3/02;H03H3/08 |
代理公司: | 北京中知法苑知识产权代理事务所(普通合伙) 11226 | 代理人: | 李明 |
地址: | 310018 浙江省杭州市杭州经济技术开发*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 组合谐振 温度补偿层 压电单元 空腔型 薄膜体声波 声表面波 金属叉 空腔 压电材料基板 第一电极 上表面 薄膜体声波谐振器 声表面波谐振器 本实用新型 第二电极 堆栈结构 性能优势 有效发挥 谐振器 压电层 堆叠 覆盖 | ||
一种基于声表面波和空腔型薄膜体声波组合谐振器,所述组合谐振器包括依次堆叠的压电材料基板、金属叉指、温度补偿层、压电单元;其中所述金属叉指形成在所述压电材料基板上方,所述温度补偿层覆盖所述金属叉指,所述温度补偿层上表面开有空腔且所述空腔上表面完全被压电单元所覆盖,所述压电单元形成在所述温度补偿层上方,所述压电单元包括第一电极、压电层、第二电极所形成的堆栈结构,其中所述第一电极设置在所述空腔上方且完全覆盖所述空腔。本实用新型中提出的基于声表面波和空腔型薄膜体声波组合谐振器,将声表面波谐振器与空腔型薄膜体声波谐振器结合起来,使得组合谐振器能够有效发挥两种谐振器的性能优势。
技术领域
本发明涉及一种组合谐振器,特别是涉及一种采用温度补偿型声表面波和空腔型薄膜体声波的组合谐振器。
背景技术
随着无线通讯应用的发展,人们对于数据传输速度的要求越来越高。在移动通信领域,第一代是模拟技术,第二代实现了数字化语音通信,第三代(3G) 以多媒体通信为特征,第四代(4G)将通信速率提高到1Gbps、时延减小到 10ms,第五代(5G)是4G之后的新一代移动通信技术,虽然5G的技术规范与标准还没有完全明确,但与3G、4G相比,其网络传输速率和网络容量将大幅提升。如果说从1G到4G主要解决的是人与人之间的沟通,5G将解决人与人之外的人与物、物与物之间的沟通,即万物互联,实现“信息随心至,万物触手及”的愿景。
与数据率上升相对应的是频谱资源的高利用率以及通讯协议的复杂化。由于频谱有限,为了满足数据率的需求,必须充分利用频谱;同时为了满足数据率的需求,从4G开始还使用了载波聚合技术,使得一台设备可以同时利用不同的载波频谱传输数据。另一方面,为了在有限的带宽内支持足够的数据传输率,通信协议变得越来越复杂,因此对射频系统的各种性能也提出了严格的需求。
在射频前端模块中,射频滤波器起着至关重要的作用。它可以将带外干扰和噪声滤除以满足射频系统和通讯协议对于信噪比的需求。随着通信协议越来越复杂,对频带内外的要求也越来越高,使得滤波器的设计越来越有挑战。另外,随着手机需要支持的频带数目不断上升,每一款手机中需要用到的滤波器数量也在不断上升。
目前射频滤波器最主流的实现方式是声表面波滤波器和基于薄膜体声波谐振器技术的滤波器。薄膜体声波谐振器主要用于高频(比如大于2.5GHz的频段),制造工艺比较复杂,成本较高。而声表面波滤波器主要用于中低频(比如小于2.5GHz的频段),制造工艺相对比较简单,成本相比于薄膜体声波谐振器要低很多,比较容易受市场接受。
温度补偿声表面波谐振器和薄膜体声波谐振器的结构和制备方式已经有很多。以往的结构和制备方式都比较成熟。对于温度补偿声表面波谐振器,传统的方法是在叉指(IDT)表面沉积一层二氧化硅(SiO2),非晶的二氧化硅薄膜具有负的温度系数,正好可以抵消压电基板的正温度系数。传统制备空腔型薄膜体声波谐振器的方法是首先对衬底进行空腔,然后再用牺牲层材料填充。接下来沉积底电极材料,然后对其刻蚀形成所需的底电极形状,在此基础上再沉积压电层也顶电极材料并进行刻蚀。最后将牺牲层材料通过通孔进行湿法腐蚀。如何将温度补偿声表面波谐振器和薄膜体声波谐振器结合起来,以便充分发挥更大范围的频率调节作用,目前还没有相应的研究。
发明内容
本发明的目的是针对现有技术的缺陷,提出了一种新型的采用基于温度补偿的声表面波和空腔型薄膜体声波组合式谐振器及其制备方法。首先制备温度补偿性声表面波谐振器,然后在温度补偿层上形成空腔型薄膜体声波谐振器。具体地,本发明的方案如下:
一种基于声表面波和空腔型薄膜体声波组合谐振器,其特征在于,所述组合谐振器包括依次堆叠的压电材料基板、金属叉指、温度补偿层、压电单元;其中所述金属叉指形成在所述压电材料基板上方,所述温度补偿层覆盖所述金属叉指,所述温度补偿层上表面开有空腔且所述空腔上表面完全被压电单元所覆盖,所述压电单元形成在所述温度补偿层上方,所述压电单元包括第一电极、压电层、第二电极所形成的堆栈结构,其中所述第一电极设置在所述空腔上方且完全覆盖所述空腔。
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