[实用新型]半导体器件结构

说明书

本实用新型提供一种半导体器件结构，包括：第一掺杂类型的衬底；场氧化层，位于第一掺杂类型的衬底的上表面；多晶硅栅极，位于部分场氧化层的上表面；栅氧化层，位于多晶硅栅极的上表面及部分场氧化层的上表面；第二掺杂类型的衬底材料层，位于栅氧化层的上表面；第二掺杂类型的第一阱区，位于第二掺杂类型的衬底材料层内；阳极区域，位于第二掺杂类型的衬底材料层内；阴极区域，位于第二掺杂类型的衬底材料层内；第一掺杂类型的体区，位于第二掺杂类型的衬底材料层内。本实用新型的半导体器件结构不会出现栓锁效应，器件更容易关断，且不会影响其他器件的集成；同时，本实用新型的半导体器件结构具有成本低，制备工艺简单等优点。

技术领域

本实用新型属于半导体技术领域，特别是涉及一种半导体器件结构。

背景技术

传统的各种横向绝缘栅场效应晶体管(LIGBT)一般利用双极载流子导电形成的电导调制效应来降低导通损耗，通常其损耗要比LDMOS(Lateral Diffused MOSFET，横向扩散金属氧化物半导体)至少小30％以上。然而，LIGBT存在固有的缺陷限制其应用和集成，这主要是因为无论哪种结构的体硅LIGBT，衬底电流均很大，使得器件极易栓锁，不易关断，而且内部控制电路易受到衬底注入电流的影响，导致功能异常。SOI(Silicon-On-Insulator，绝缘体上硅)技术虽然能够限制衬底电流，但SOI衬底价格昂贵，且具有自热效应，仍然会限制其应用。

实用新型内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本实用新型的目的在于提供一种半导体器件结构，用于解决现有技术中的横向绝缘栅场效应晶体管由于衬底电流较大，使得器件极易栓锁，不易关断，内部控制电路易受到衬底注入电流的影响，从而导致器件功能异常等问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本实用新型提供一种半导体器件结构，所述半导体器件结构包括：

第一掺杂类型的衬底；

场氧化层，位于所述第一掺杂类型的衬底的上表面；

多晶硅栅极，位于部分所述场氧化层的上表面；

栅氧化层，位于所述多晶硅栅极的上表面及部分所述场氧化层的上表面；

第二掺杂类型的衬底材料层，位于所述栅氧化层的上表面；

第二掺杂类型的第一阱区，位于所述第二掺杂类型的衬底材料层内；

阳极区域，位于所述第二掺杂类型的衬底材料层内，且位于所述第二掺杂类型的第一阱区的一侧；所述阳极区域沿长度方向包括若干个交替排布的第一掺杂类型的第一掺杂区域及第二掺杂类型的第一掺杂区域；

阴极区域，位于所述第二掺杂类型的衬底材料层内，且位于所述第二掺杂类型的第一阱区背离所述阳极区域的一侧；所述阴极区域沿长度方向包括若干个交替排布的第一掺杂类型的第二掺杂区域及第二掺杂类型的第二掺杂区域；

第一掺杂类型的体区，位于所述第二掺杂类型的衬底材料层内，且位于所述阴极区域与所述第二掺杂类型的第一阱区之间。

作为本实用新型的半导体器件结构的一种优选方案，所述半导体器件结构还包括第一掺杂类型的重掺杂区域，所述第一掺杂类型的重掺杂区域位于所述第一掺杂类型的衬底内。

作为本实用新型的半导体器件结构的一种优选方案，所述半导体器件结构还包括；

介质层，位于所述第二掺杂类型的衬底材料层的上表面及裸露的所述场氧化层的上表面；

阳极电极，位于所述介质层内及所述介质层表面，且与所述阳极区域相接触；

阴极电极，位于所述介质层内及所述介质层表面，且与所述阴极区域及所述第一掺杂类型的重掺杂区域相接触。