[实用新型]一种可区分左旋偏振光和右旋偏振光的微纳结构有效
申请号: | 201821752747.2 | 申请日: | 2018-10-29 |
公开(公告)号: | CN208752330U | 公开(公告)日: | 2019-04-16 |
发明(设计)人: | 不公告发明人 | 申请(专利权)人: | 中山科立特光电科技有限公司 |
主分类号: | G02F1/01 | 分类号: | G02F1/01 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 528458 广东省中*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 手性单元 入射光 右旋偏振光 左旋偏振光 石墨烯层 微纳结构 基底层 本实用新型 吸收光谱图 磁偶极子 电偶极子 使用寿命 微纳光学 最大吸收 直射 反射 吸光 吸收 嵌入 申请 分析 | ||
1.一种可区分左旋偏振光和右旋偏振光的微纳结构,其特征在于,所述微纳结构由下及上依次包括:基底层、手性单元和石墨烯层;所述石墨烯层平铺于所述基底层上;所述手性单元不少于1个;所述手性单元上表面与石墨烯层相连接,下表面嵌于所述基底层内。
2.根据权利要求1所述的微纳结构,其特征在于,所述手性单元为形状相同的金属结构按手性排布。
3.根据权利要求2所述的微纳结构,其特征在于,所述金属结构为手性结构。
4.根据权利要求1所述的微纳结构,其特征在于,所述手性单元为手性金属结构。
5.根据权利要求2所述的微纳结构,其特征在于,所述手性排布形状为螺旋状。
6.根据权利要求1所述的微纳结构,其特征在于,所述石墨烯层为两层或者三层石墨烯叠加而成。
7.根据权利要求1所述的微纳结构,其特征在于,所述石墨烯层为石墨烯条等间距排布而成。
8.根据权利要求1所述的微纳结构,其特征在于,所述基底层为半导体材料制成。
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