[实用新型]一种可区分左旋偏振光和右旋偏振光的微纳结构有效

专利信息
申请号: 201821752747.2 申请日: 2018-10-29
公开(公告)号: CN208752330U 公开(公告)日: 2019-04-16
发明(设计)人: 不公告发明人 申请(专利权)人: 中山科立特光电科技有限公司
主分类号: G02F1/01 分类号: G02F1/01
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 528458 广东省中*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 手性单元 入射光 右旋偏振光 左旋偏振光 石墨烯层 微纳结构 基底层 本实用新型 吸收光谱图 磁偶极子 电偶极子 使用寿命 微纳光学 最大吸收 直射 反射 吸光 吸收 嵌入 申请 分析
【权利要求书】:

1.一种可区分左旋偏振光和右旋偏振光的微纳结构,其特征在于,所述微纳结构由下及上依次包括:基底层、手性单元和石墨烯层;所述石墨烯层平铺于所述基底层上;所述手性单元不少于1个;所述手性单元上表面与石墨烯层相连接,下表面嵌于所述基底层内。

2.根据权利要求1所述的微纳结构,其特征在于,所述手性单元为形状相同的金属结构按手性排布。

3.根据权利要求2所述的微纳结构,其特征在于,所述金属结构为手性结构。

4.根据权利要求1所述的微纳结构,其特征在于,所述手性单元为手性金属结构。

5.根据权利要求2所述的微纳结构,其特征在于,所述手性排布形状为螺旋状。

6.根据权利要求1所述的微纳结构,其特征在于,所述石墨烯层为两层或者三层石墨烯叠加而成。

7.根据权利要求1所述的微纳结构,其特征在于,所述石墨烯层为石墨烯条等间距排布而成。

8.根据权利要求1所述的微纳结构,其特征在于,所述基底层为半导体材料制成。

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