[实用新型]像素阵列及用于图像传感器的滤色器层有效
申请号: | 201821675901.0 | 申请日: | 2018-10-16 |
公开(公告)号: | CN208970511U | 公开(公告)日: | 2019-06-11 |
发明(设计)人: | S·伯萨克;B·A·瓦尔特斯塔;N·W·查普曼 | 申请(专利权)人: | 半导体元件工业有限责任公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人: | 杨雅;姚开丽 |
地址: | 美国亚*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 滤色器层 像素阵列 容器结构 透明元件 滤色器 透明介电材料 本实用新型 图像传感器 光阻材料 着色元件 栅格 不透明材料 抗反射涂层 开口阵列 平面化层 透明材料 相邻元件 微透镜 折射率 | ||
1.一种像素阵列,其特征在于,所述像素阵列包括:
光电二极管阵列;和
滤色器层,所述滤色器层与所述光电二极管阵列叠置,所述滤色器层包括:
滤色器容器材料栅格,所述滤色器容器材料栅格在所述光电二极管阵列上方形成开口阵列;
有机滤色器材料,所述有机滤色器材料填充第一组所述开口;和
透明介电材料,所述透明介电材料填充第二组所述开口。
2.根据权利要求1所述的像素阵列,其中所述滤色器容器材料栅格包括透明有机材料。
3.根据权利要求1所述的像素阵列,其中所述有机滤色器材料具有第一折射率,其中所述透明介电材料具有大于所述第一折射率的第二折射率,并且其中所述滤色器容器材料栅格包括具有不同于所述第二折射率的第三折射率的附加透明介电材料。
4.一种像素阵列,其特征在于,所述像素阵列包括:
光电二极管阵列;和
滤色器层,所述滤色器层包括:
具有第一折射率的第一滤色器元件,所述第一滤色器元件形成在所述光电二极管阵列中的第一组光电二极管上方;
具有第二折射率的第二滤色器元件,所述第二滤色器元件形成在所述光电二极管阵列中的第二组光电二极管上方;和
具有第三折射率的透明介电材料,所述透明介电材料形成在所述光电二极管阵列中的第三组光电二极管上方,其中所述第三折射率大于所述第一折射率和所述第二折射率。
5.根据权利要求4所述的像素阵列,其中所述透明介电材料在所述第一滤色器元件与所述第二滤色器元件之间延伸以形成开口栅格,在所述开口栅格中形成所述第一滤色器元件和所述第二滤色器元件。
6.根据权利要求5所述的像素阵列,其中所述第一滤色器元件和所述第二滤色器元件中的每一者被所述透明介电材料所包围。
7.根据权利要求4所述的像素阵列,还包括:
材料栅格,所述材料栅格形成开口阵列,在所述开口阵列中形成所述第一滤色器元件、所述第二滤色器元件和所述透明介电材料。
8.根据权利要求7所述的像素阵列,还包括:
由透明有机材料形成的微透镜阵列,所述微透镜阵列与所述滤色器层叠置;和
抗反射涂层,所述抗反射涂层形成在所述微透镜阵列上,其中所述抗反射涂层还形成所述材料栅格。
9.根据权利要求7所述的像素阵列,还包括:
平面化层,所述平面化层插置在所述滤色器层与所述微透镜阵列之间,其中所述平面化层形成所述材料栅格并且由氧化铟锡形成。
10.一种用于图像传感器的滤色器层,包括:
透明元件,所述透明元件由图案化的透明介电材料形成;
滤色器元件,所述滤色器元件由图案化着色的光刻胶形成;和
光阻材料栅格,所述光阻材料栅格形成滤色器容器结构,在所述滤色器容器结构中形成所述滤色器元件,其中所述光阻材料栅格由形成所述透明元件且包括氮化硅的所述透明介电材料形成。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的