[实用新型]一种基于开通dIds/dt的SIC MOSFET模块结温在线测量装置

权利要求书

1.一种基于开通dI_ds/dt的SIC MOSFET模块结温在线测量装置，其特征在于，所述测量装置包括采样整流电路、放大电路及数据处理模块；其中，所述采样整流电路用于在SICMOSFET开通的瞬态时，采集到感应dI_ds/dt即漏极电流变化率的感应电压整流得到一个稳定的电压值；所述放大电路用于对采样整流电路的输出电压值进行放大处理；所述数据处理模块用于将放大电路输出的电压值转化为数字信号，用于根据标定的该电压与直流母线电压、结温的关系通过查表来获取实际结温，还用于输出控制采样整流电路进行数据测量的准备信号。

2.根据权利要求1所述的基于开通dI_ds/dt的SIC MOSFET模块结温在线测量装置，其特征在于，所述漏极电流变化率感应电压的获取通过利用PCB罗氏线圈或辅助源极S’和源极S之间的寄生电感两种方式实现。

3.根据权利要求2所述的基于开通dI_ds/dt的SIC MOSFET模块结温在线测量装置，其特征在于，所述采样整流电路包括运算放大器U₁、二极管D₁、晶体管VT₁、电阻R₁、电阻R₄和储存电容C₁；所述运算放大器U₁正输入端接入漏极电流变化率dI_ds/dt感应电压，负输入端接入所述二极管D₁的阴极，所述运算放大器U₁的输出端连接所述二极管D₁的阳极，所述二极管D₁的阴极端分别接入所述晶体管VT₁的集电极、电阻R₄的一端及放大电路U₁的输入端，所述电阻R₄另一端接储存电容C₁的一端，所述储存电容C₁的另一端接地，所述晶体管VT₁发射极通过所述电阻R₁接地，晶体管的VT₁的基极接FPGA的输出端。

4.根据权利要求2所述的基于开通dI_ds/dt的SIC MOSFET模块结温在线测量装置，其特征在于，所述放大电路包括运算放大器U₂、电阻R₂和电阻R₃，其中所述运算放大器U₂负输入端一方面通过所述电阻R₂与地连接，另一方面通过电阻R₃接入所述运算放大器U₂的输出端，所述运算放大器U₂的输出端接入数据处理模块的输入端。

5.根据权利要求1或2所述的基于开通dI_ds/dt的SIC MOSFET模块结温在线测量装置，其特征在于，所述数据处理模块包括FPGA和测量电路AD模块。

6.根据权利要求5所述的基于开通dI_ds/dt的SIC MOSFET模块结温在线测量装置，其特征在于，所述测量电路AD模块为12位的AD模块。

7.根据权利要求3或4所述的基于开通dI_ds/dt的SIC MOSFET模块结温在线测量装置，其特征在于，所述运算放大器U₁、U₂均采用高增益带宽高精度运算放大器LM7171B。

8.根据权利要求2所述的基于开通dI_ds/dt的SIC MOSFET模块结温在线测量装置，其特征在于，所述PCB罗氏线圈为高带宽，可达20MHZ。