[实用新型]晶体硅太阳能电池扩散石英舟有效
申请号: | 201821496784.1 | 申请日: | 2018-09-13 |
公开(公告)号: | CN208781876U | 公开(公告)日: | 2019-04-23 |
发明(设计)人: | 张华灿;房强;阎凯;王军;赵钊 | 申请(专利权)人: | 北京太阳能电力研究院有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L21/673 |
代理公司: | 北京远大卓悦知识产权代理事务所(普通合伙) 11369 | 代理人: | 史霞 |
地址: | 100033 北京市西城区广*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 卡槽 石英舟 上端连接杆 晶体硅太阳能电池 本实用新型 底端连接杆 间隔设置 卡槽宽度 对称面 扩散 管套结构 平行设置 夹角为 挡片 搬运 | ||
本实用新型公开了晶体硅太阳能电池扩散石英舟,包括:一对面板;一对上端连接杆,所述一对上端连接杆平行设置;一对底端连接杆;多个第一卡槽,所述多个第一卡槽间隔设置在所述一对上端连接杆上;多个第二卡槽,所述多个第二卡槽间隔设置在所述一对底端连接杆上;其中,位于两侧的第一卡槽与所述一对面板的距离不小于所述第一卡槽宽度的5倍,位于两侧的第二卡槽与所述一对面板的距离不小于所述第二卡槽宽度的5倍,所述多个第一卡槽的对称面与所述一对面板的夹角为3°,所述多个第二卡槽的对称面与所述一对面板的夹角也为3°。本实用新型避免使用挡片,降低了生成成本,并且利用M形底部和管套结构减轻了石英舟的重量,并且使得搬运石英舟更加方便。
技术领域
本实用新型涉及晶体硅太阳能电池生产领域。更具体地说,本实用新型涉及一种用于晶体硅太阳能电池扩散工艺的石英舟。
背景技术
在晶体硅太阳能电池扩散工艺中普遍使用磷扩散的方法制作PN结,而磷元素的来源一般使用液态的POCl3进行扩散。现有的石英舟为了改善各硅片扩散后方阻均匀性较差的问题,普遍采用在扩散前,将准备生产的硅片均匀放置在石英舟的中间部分,其余两端放置挡片,以减小各硅片气流环境的差异。由于生产中对挡片的洁净度以及完整性要求较高,因而硅片的使用也较大幅度地增加了生产成本。另外,现有的石英舟浪费材料,重量大,也不利于搬运。因此,亟需设计一种能够改善上述缺陷的石英舟。
实用新型内容
本实用新型的一个目的是提供一种晶体硅太阳能电池扩散石英舟,其避免使用挡片,降低了生成成本,并且利用M形底部和管套结构减轻了石英舟的重量,并且使得搬运石英舟更加方便。
为了实现根据本实用新型的这些目的和其它优点,提供了晶体硅太阳能电池扩散石英舟,其特征在于,包括:
一对面板,所述一对面板平行相对设置;
一对上端连接杆,所述一对上端连接杆平行设置,所述一对上端连接杆的两端分别与所述一对面板相对的表面垂直连接;
一对底端连接杆,所述一对底端连接杆平行设置,所述一对底端连接杆的两端分别与所述一对面板相对的表面垂直连接,所述一对底端连接杆所在的平面与所述一对上端连接杆所在的平面平行,并且位于所述一对上端连接杆所在的平面下方;
多个第一卡槽,所述多个第一卡槽间隔设置在所述一对上端连接杆上;
多个第二卡槽,所述多个第二卡槽间隔设置在所述一对底端连接杆上,并且与所述多个第一卡槽上下对应;
其中,位于两侧的第一卡槽与所述一对面板的距离不小于所述第一卡槽宽度的5倍,位于两侧的第二卡槽与所述一对面板的距离不小于所述第二卡槽宽度的5倍,所述多个第一卡槽的对称面与所述一对面板的夹角为3°,所述多个第二卡槽的对称面与所述一对面板的夹角也为3°。
优选的是,所述的晶体硅太阳能电池扩散石英舟,所述多个第一卡槽的截面形状由位于外侧的第一梯形和位于内侧的第一矩形拼接而成,所述第一梯形为等腰梯形,所述第一梯形两腰的夹角为60°;所述多个第二卡槽的截面形状由位于外侧的第二梯形和位于内侧的第二矩形拼接而成,所述第二梯形为等腰梯形,所述第二梯形两腰的夹角为90°,所述第二梯形的高大于所述第一梯形的高,所述第一矩形的宽度比所述第二矩形的宽度大0.3毫米。
优选的是,所述的晶体硅太阳能电池扩散石英舟,位于两侧的第一卡槽与所述一对面板的距离不低于所述第一矩形宽度的5倍,位于两侧的第二卡槽与所述一对面板的距离不低于所述第二矩形宽度的5倍。
优选的是,所述的晶体硅太阳能电池扩散石英舟,所述一对面板的下端截面呈M状结构,所述一对面板下端包括位于两侧的舟脚和位于中间的凸出部,所述凸出部呈上大下小的第三梯形,所述第三梯形为等腰梯形,所述第三梯形两腰夹角为90°,所述等腰梯形的下底尺寸与所述面板宽度的比例不小于1:3。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的