[实用新型]半导体器件有效
| 申请号： | 201821459611.2 | 申请日： | 2018-09-06 |
| 公开（公告）号： | CN208706615U | 公开（公告）日： | 2019-04-05 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人： | 袁礼君;阚梓瑄 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 衬里层 本实用新型 衬底 半导体 半导体技术领域 沟槽隔离结构 多孔结构 隔离材料 内壁 沉积 填充 扩散 覆盖 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：
半导体衬底；
至少一个沟槽，位于所述半导体衬底内；
衬里层，覆盖于所述沟槽的内壁，并且为多孔结构；
隔离材料，沉积于所述衬里层的上方，填充所述沟槽，并扩散到所述衬里层的孔隙中。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述衬里层的厚度为所述沟槽宽度的2％～10％。
3.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述衬里层的孔隙率为10％～80％。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件还包括：
垫氧化层，位于所述沟槽两侧的所述半导体衬底的上表面；
垫氮化层，位于所述垫氧化层的上表面；
所述衬里层覆盖所述垫氮化层的上表面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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