[实用新型]一种多接口的高速VPX存储装置有效
申请号: | 201821454807.2 | 申请日: | 2018-09-05 |
公开(公告)号: | CN209265422U | 公开(公告)日: | 2019-08-16 |
发明(设计)人: | 程彩 | 申请(专利权)人: | 北京中科海讯数字科技股份有限公司 |
主分类号: | G06F13/10 | 分类号: | G06F13/10;G06F1/18 |
代理公司: | 北京汇捷知识产权代理事务所(普通合伙) 11531 | 代理人: | 李宏伟 |
地址: | 100095 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 存储控制芯片 接口扩展芯片 接插件 缓存 本实用新型 以太网接口 存储装置 多接口 数据总线形式 接插件连接 机箱结构 数据通过 外部数据 外部系统 存储板 架构 主流 | ||
1.一种多接口的高速VPX存储装置,其特征在于,包括VPX接插件、接口扩展芯片、存储控制芯片、高速DDR缓存、SSD硬盘组外部系统数据通过VPX接插件与所述存储控制芯片、接口扩展芯片相连接,外部数据通过VPX接插件上的SRIO接口与以太网接口进入接口扩展芯片,通过VPX接插件上的1G以太网接口接入存储控制芯片,接口扩展芯片与VPX接插件连接,通过LVDS数据接口和存储控制芯片相连接,存储控制芯片与高速DDR缓存以及SSD硬盘组相连接。
2.如权利要求1所述一种多接口的高速VPX存储装置,其特征在于,所述存储控制芯片包括microblaze控制器、数据缓冲队列、高速DMA通道、硬盘驱动程序、控制IO、LVDS数据接口以及SATA数据接口,所述LVDS数据接口通过microblaze控制器构建的高速DMA通道与所述高速DDR缓存相连,所述高速DDR缓存与硬盘驱动程序通过microblaze控制器构建的高速DMA通道相连。
3.如权利要求1所述一种多接口的高速VPX存储装置,其特征在于,所述接口扩展芯片使用一片Xilinx xc7k325t芯片,所述接口扩展芯片包含控制程序、SRIO接口程序、10G以太网接口程序、缓冲FIFO、数据通路切换程序、控制IO、LVDS数据接口、SRIO数据接口以及10G以太网数据接口,对外有两路SRIO接口与两路10G以太网接口与VPX接插件,对内有LVDS数据接口和控制IO与硬盘控制器连接。
4.如权利要求2所述一种多接口的高速VPX存储装置,其特征在于,所述microblaze控制器将LVDS数据接口在DDR内存上的DMA接收地址与硬盘驱动程序的DMA发送地址设置为同一地址。
5.如权利要求1至3任一项所述一种多接口的高速VPX存储装置,其特征在于,所述SSD硬盘组使用2.5寸SSD硬盘搭建,标配2T容量。
6.如权利要求4所述一种多接口的高速VPX存储装置,其特征在于,所述SSD硬盘组使用2.5寸SSD硬盘搭建,标配2T容量。
7.如权利要求5所述一种多接口的高速VPX存储装置,其特征在于,所述高速DDR缓存数据阈值为64MB。
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