[实用新型]一种基于谷胱甘肽复合膜栅极金电极的L-胱氨酸传感器有效
| 申请号： | 201821387690.0 | 申请日： | 2018-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN208860790U | 公开（公告）日： | 2019-05-14 |
| 发明（设计）人： | 曹忠;朱钦;杨佳;肖忠良;刘陈;李丹;张玲;冯泽猛;印遇龙 | 申请（专利权）人： | 长沙理工大学 |
| 主分类号： | G01N27/26 | 分类号： | G01N27/26;G01N27/327 |
| 代理公司： | 北京天奇智新知识产权代理有限公司 11340 | 代理人： | 刘佳芳 |
| 地址： | 410114 湖南省*** | 国省代码： | 湖南;43 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 谷胱甘肽 金电极 复合膜 场效应晶体管 传感器 邻苯二甲酸二丁酯 本实用新型 氧化石墨烯 栅极延长 胱氨酸 复合膜修饰 金电极表面 效应晶体管 放大作用 灵敏检测 原位信号 制备过程 复合材料 金膜层 潜在的 自组装 修饰 组装 响应 应用 | ||
【权利要求书】：
1.一种基于谷胱甘肽复合膜栅极金电极的L-胱氨酸传感器，所述传感器包括场效应晶体管，所述场效应晶体管上设有栅极延长的金电极，其特征在于，所述栅极延长的金电极中，所述栅极部分延长0.1—500mm的距离，金电极的金膜层(10)表面组装有谷胱甘肽复合膜(12)；所述谷胱甘肽复合膜为邻苯二甲酸二丁酯、氧化石墨烯和谷胱甘肽组成的复合膜。
2.如权利要求1所述的传感器，其特征在于，所述场效应晶体管包括Si基底层(1)和设于Si基底层(1)上的多晶硅栅极(7)；所述Si基底层(1)上植入p阱(2)和N型衬底(3)，所述p阱(2)处设有源电极(4)和漏电极(5)，被植入p阱(2)和N型衬底(3)并构建有源电极(4)和漏电极(5)的Si基底层(1)上设有二氧化硅层(6)；所述多晶硅栅极(7)的基底层上依次镀上铝铜合金层(8)、铬钯合金层(9)和金膜层(10)；在多晶硅栅极(7)的基底层和二氧化硅层(6)上还设有氮化硅层(11)。
3.如权利要求2所述的传感器，其特征在于，所述铝铜合金层(8)的厚度为20—600nm，铬钯合金层(9)的厚度为20—600nm，金膜层(10)的厚度为20—1000nm。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长沙理工大学，未经长沙理工大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201821387690.0/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
