[实用新型]一种提高太阳能电池转换率的改进结构有效
| 申请号: | 201821332974.X | 申请日: | 2018-08-18 |
| 公开(公告)号: | CN208570617U | 公开(公告)日: | 2019-03-01 |
| 发明(设计)人: | 张育 | 申请(专利权)人: | 嘉兴金瑞光伏科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216 |
| 代理公司: | 嘉兴启帆专利代理事务所(普通合伙) 33253 | 代理人: | 李伊飏 |
| 地址: | 314000 浙江省嘉兴*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 太阳能电池 电池板 改进结构 增透膜 转换率 本实用新型 禁带 薄膜 太阳能电池转换效率 边框 氮化镓材料 减反射效果 光能吸收 减反射膜 正面EVA 氮化铟 氟化镁 内反射 光能 镀制 胶膜 入射 外端 制作 照射 转换 | ||
本实用新型公开了一种提高太阳能电池转换率的改进结构,包括电池板主体,电池板主体的四周外端安装有边框,电池板主体的底部安装有增透膜,增透膜的底部设置有正面EVA胶膜。本实用新型是一种提高太阳能电池转换率的改进结构,该太阳能电池通过设置的减反射膜由Ti02和MgF2组合制作而成,起到减反射效果,可增加入射的光能,设置的增透膜采用氟化镁镀制而成,能够让照射进薄膜的光更长时间地在薄膜内反射,以便有充足的时间让光能吸收并转换成电能,设置的电池板主体采用氮化铟和氮化镓材料双层制作而成,一层需要调整到1.7eV的禁带,而另一层需调整到1.1eV的禁带,实现大幅提高太阳能电池转换效率。
技术领域
本实用新型涉及一种太阳能电池结构,特别涉及一种提高太阳能电池转换率的改进结构。
背景技术
太阳能电池片分为晶硅类和非晶硅类,其中晶硅类电池片又可以分为单晶电池片和多晶电池片;单晶硅的效率较多晶硅也有区别,中国光伏设备企业从硅材料生产、硅片加工到太阳能电池芯片的生产以及相应的纯水制备、环保处理、净化工程的建设,已经初步具备成套供应能力,部分产品如扩散炉、等离子刻蚀机、单晶炉、多晶铸锭炉等开始少量出口,可提供10种太阳能电池大生产线设备中的8种,其中有6种(扩散炉、等离子刻蚀机、清洗/制绒机、石英管清洗机、低温烘干炉)已在国内生产线上占据主导地位,2种(管式PECVD、快速烧结炉)与进口设备并存但份额正逐步增大,此外,全自动丝网印刷机、自动分拣机、平板式PECVD则完全依赖进口,组件生产用的层压机、太阳能模拟器等在行业获得广泛应用。
在实际使用过程中,目前太阳能的转换效率仅有10%-20%,其余均以热能形式散发,效率低。
实用新型内容
本实用新型要解决的技术问题是克服现有技术的缺陷,提供一种提高太阳能电池转换率的改进结构,通过设置的减反射膜由Ti02和MgF2组合制作而成,起到减反射效果,可增加入射的光能,设置的增透膜采用氟化镁镀制而成,能够让照射进薄膜的光更长时间地在薄膜内反射,以便有充足的时间让光能吸收并转换成电能,设置的电池板主体采用氮化铟和氮化镓材料双层制作而成,一层需要调整到1.7eV的禁带,而另一层需调整到1.1eV的禁带,实现大幅提高太阳能电池转换效率。
为了解决上述技术问题,本实用新型提供了如下的技术方案:
本实用新型涉及一种提高太阳能电池转换率的改进结构,包括电池板主体,所述电池板主体的四周外端安装有边框,所述电池板主体的底部安装有增透膜,所述增透膜的底部设置有正面EVA胶膜,所述正面EVA胶膜的底部设置有减反射膜,所述减反射膜的底部覆盖有玻璃钢,所述电池板主体的顶部安装有背面EVA胶膜,所述背面EVA胶膜的顶部覆盖有背膜,所述背膜的顶部一侧安装有接线盒。
作为本实用新型的一种优选技术方案,所述电池板主体采用氮化铟和氮化镓材料双层制作而成。
作为本实用新型的一种优选技术方案,所述增透膜采用氟化镁镀制而成。
作为本实用新型的一种优选技术方案,所述减反射膜是由Ti和MgF组合制作而成。
作为本实用新型的一种优选技术方案,所述边框采用铝合金材料制作而成。
与现有技术相比,本实用新型的有益效果如下:
本实用新型是一种提高太阳能电池转换率的改进结构,通过设置的减反射膜由Ti02和MgF2组合制作而成,起到减反射效果,可增加入射的光能,设置的增透膜采用氟化镁镀制而成,能够让照射进薄膜的光更长时间地在薄膜内反射,以便有充足的时间让光能吸收并转换成电能,设置的电池板主体采用氮化铟和氮化镓材料双层制作而成,一层需要调整到1.7eV的禁带,而另一层需调整到1.1eV的禁带,实现大幅提高太阳能电池转换效率。
附图说明
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





