[实用新型]一种化学气相沉积炉的支承装置

说明书

本实用新型公开一种化学气相沉积炉的支承装置，包括用于交替对基体进行支承的交替支承机构，所述交替支承机构包括至少两组支承件和用于驱动支承件交替支承基体的交替驱动机构；其中，所述交替驱动机构包括至少两个滑槽以及驱动支承件在滑槽中移动的动力机构；所述滑槽包括支承段和交替段，所述交替段的高度低于支承段的高度；当支承件的下端移动至支承段时，其上端支承在基体的下端面，当支承件的下端移动至交替段时，其上端远离基体；工作时，至少有一组支承件位于支承段上。本支承装置不但可以支承质量大小不同的基体，且支承处不会产生无薄膜的缺口，使得基体表面能均匀地一次沉积到所需的薄膜，提高沉积质量，降低生产成本。

技术领域

本实用新型涉及化学气相沉积设备，具体涉及一种化学气相沉积炉的支承装置。

背景技术

化学气相沉积，英文简称为CVD，是半导体工业中应用最为广泛的用来沉积多种材料的技术，包括大范围的绝缘材料，大多数金属材料和金属合金材料。一般地，化学气相沉积可以理解为两种或两种以上的气态原材料导入到一个反应室内，然后两种原材料之间发生气相热分解反应，形成一种新的材料，沉积到基体晶片表面上，使得基体获得更好的表面质量效果；其中，气体原材料一般为金属蒸气、挥发性金属卤化物、氢化物或金属有机化合物等气体。化学气相沉积工艺中，气体原材料的均匀分布可以加快沉积速率，以及使得膜层的致密性和均匀性更好，其中，沉积薄膜的均匀性对于基体来说极其重要。

在现有的沉积炉中，通常采用行星旋转机构来带动基体转动，以便在基体上获得均匀的沉积薄膜。所述行星旋转机构设置一个公转的转盘，转盘上设置若干个用于放置基体的支承装置，每个支承装置在随转盘公转时，还可以带动基体自转，使得基体的各个部位可以均匀沉积。由于化学气相沉积的周期较长，通过在沉积室放置支承装置，来支承沉积基体，使得基体可以在沉积室中堆叠放置，从而达到批量生产的目的，有利于提高生产效率、减低生产成本。

但是，现有的支承装置一般采用固定的三点支承法来对基体进行支承，其中存在以下的不足；

1、由于基体固定支承在支承装置的支承件上，其支承的位置缺少反应气体的沉积，形成无薄膜的缺口，因此，氧气、氨气等气体会从无薄膜的缺口处侵蚀基体的内部基材，从而减少基体的使用寿命。如果要填补该无薄膜的缺口，需要进行二次沉积，浪费人力物力，提高生产成本。

2、在沉积工作中，为了减少支承装置对反应气体扩散的阻扰作用，使得薄膜能够均匀地沉积在基体上，采用的支承件的厚度较小，只适用于支承较轻的基体，而不适用于重量大的基体。

实用新型内容

本实用新型的目的在于克服上述存在的问题，提供一种化学气相沉积炉的支承装置，该支承装置不但可以支承质量大小不同的基体，且支承处不会产生无薄膜的缺口，使得基体表面能均匀地一次沉积到所需的薄膜，既提高了沉积的质量，也降低了生产成本。

本实用新型的目的通过以下技术方案实现：

一种化学气相沉积炉的支承装置，包括用于交替对基体进行支承的交替支承机构，所述交替支承机构包括至少两组支承件和用于驱动支承件交替支承基体的交替驱动机构；

其中，所述交替驱动机构包括至少两个设置在支承板上呈环形的滑槽以及用于驱动支承件在滑槽中移动的动力机构；所述滑槽包括支承段和交替段，所述交替段的高度低于支承段的高度；每组支承件至少包括两个支承件，且沿着圆周方向均匀分布在滑槽的上方；

当支承件的下端移动至支承段时，其上端支承在基体的下端面，当支承件的下端移动至交替段时，其上端远离基体；工作时，至少有一组支承件位于支承段上。

上述支承装置的原理是：