[实用新型]激光掺杂选择性发射极太阳能电池的正面电极网版结构有效
申请号: | 201821232145.4 | 申请日: | 2018-08-01 |
公开(公告)号: | CN208460736U | 公开(公告)日: | 2019-02-01 |
发明(设计)人: | 王举亮;郭永刚;刘军保;倪玉凤;张婷 | 申请(专利权)人: | 国家电投集团西安太阳能电力有限公司;国家电投集团西安太阳能电力有限公司西宁分公司;国家电投集团黄河上游水电开发有限责任公司;青海黄河上游水电开发有限责任公司;黄河水电光伏产业技术有限公司;青海黄河上游水电开发有限责任公司光伏产业技术分公司 |
主分类号: | H01L21/68 | 分类号: | H01L21/68;H01L31/0224;H01L31/18;B41C1/14;B41F15/36 |
代理公司: | 上海硕力知识产权代理事务所(普通合伙) 31251 | 代理人: | 郭桂峰 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 太阳能电池 激光掺杂 正面电极 网版 副栅线 选择性发射极太阳能电池 重掺杂区 晶硅太阳能电池 本实用新型 欧姆接触 丝网印刷 正面印刷 转换效率 电极 主栅线 制备 对准 | ||
本实用新型公开了一种激光掺杂选择性发射极太阳能电池的正面电极网版结构,通过在太阳能电池的正面的激光掺杂的重掺杂区形成有若干第一Mark点,在正面电极网版结构上的主栅线设置若干第二Mark点,且所述若干第二Mark点与所述若干第一Mark点一一对应;通过所述若干第二Mark点与所述若干第一Mark点一一对应实现该正面电极网版结构与太阳能电池的对准,使所述若干副栅线与所述太阳能电池的激光掺杂的重掺区对应;从而使得在丝网印刷制备电极的过程中,在太阳能电池的正面印刷的副栅线刚好设置在太阳能电池的激光掺杂的重掺区,使得副栅线与重掺杂区形成欧姆接触,以提高晶硅太阳能电池的转换效率。
技术领域
本实用新型涉及晶硅太阳能电池技术领域,尤其涉及一种激光掺杂选择性发射极太阳能电池的正面电极网版结构。
背景技术
太阳能资源丰富、分布广泛,是最具发展潜力的可再生能源。随着全球能源短缺和环境污染等问题日益突出,太阳能光伏发电因其清洁、安全、便利、高效等特点,已成为世界各国普遍关注和重点发展的新兴产业。
晶体硅太阳电池及组件是将太阳能转化成电能的半导体器件,器件的大小直接决定最终的发电功率,为了获得更高的电池转换效率,需要设计在通过电池工艺研发,采用激光掺杂选择性发射极太阳电池正面电极网版图形结构,能有效提高晶硅电池转换效率,从而提高单位面积的发电量。
实用新型内容
本实用新型提出了一种激光掺杂选择性发射极太阳能电池的正面电极网版结构,以提高晶硅太阳能电池的转换效率。
为了解决上述问题,本实用新型提供如下技术方案:
一种激光掺杂选择性发射极太阳能电池的正面电极网版结构,该正面电极网版结构用于在丝网印刷电极时设置在太阳能电池的正面作为正面电极的掩膜板,其中所述太阳能电池的正面的激光掺杂的重掺杂区形成有若干第一Mark点;该正面电极网版结构包括网框,该网框内设置有网布,该网布上设置有:若干主栅线、若干副栅线、若干防EL断栅结构以及若干第二Mark点;
所述若干主栅线之间相互平行,所述若干副栅线之间相互平行,且所述若干主栅线与所述若干副栅线相互垂直;
所述若干副栅线与所述太阳能电池的正面的激光掺杂的重掺杂区对应;
每根主栅线均为实心或镂空的多边形结构;
每排防EL断栅结构包括若干间隔设置在副栅线之间的防EL断栅段,且防EL断栅段与副栅线垂直,并且防EL断栅结构之间相互平行;
所述若干第二Mark点设置在主栅线上,且所述若干第二Mark点与所述若干第一Mark点一一对应;通过所述若干第二Mark点与所述若干第一Mark点一一对应实现该正面电极网版结构与太阳能电池的对准,使所述若干副栅线与所述太阳能电池的激光掺杂的重掺区对应。
在本实用新型的一个实施例中,所述主栅线的数量为3-20根。
在本实用新型的一个实施例中,所述主栅线的宽度为0.1至2.5mm,所述主栅线的长度为100至165mm。
在本实用新型的一个实施例中,所述副栅线的数量为80-200根。
在本实用新型的一个实施例中,所述副栅线的宽度为10um至200um,所述副栅线的长度为10mm至165mm。
在本实用新型的一个实施例中,所述防EL断栅结构的数量为2-30排。
在本实用新型的一个实施例中,所述第一Mark点的数量为4-6个,第一Mark点的直径为0.2-1.2mm,所述第二Mark点的数量为4-6个,第二Mark点的直径为0.2-1.2mm。
在本实用新型的一个实施例中,所述太阳能电池的形状为正方片或四角带有圆弧的准方片,其中圆弧的直径大于150mm。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造