[实用新型]一种阳极结构及磁控溅射装置有效
申请号: | 201821195791.8 | 申请日: | 2018-07-26 |
公开(公告)号: | CN208791744U | 公开(公告)日: | 2019-04-26 |
发明(设计)人: | 王正安 | 申请(专利权)人: | 北京铂阳顶荣光伏科技有限公司 |
主分类号: | C23C14/35 | 分类号: | C23C14/35 |
代理公司: | 北京风雅颂专利代理有限公司 11403 | 代理人: | 李莎 |
地址: | 100176 北京市大兴区北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阳极 阳极结构 磁控溅射装置 溅射 本实用新型 阴极靶 靶材 粒子 导向作用 离子沉积 阳极运动 放电 沉积 薄膜 磁场 遮挡 中和 吸收 保证 | ||
本实用新型公开了一种阳极结构及磁控溅射装置,该阳极结构包括:第一阳极,设置于阴极靶与第二阳极之间,用于遮挡向第二阳极溅射的靶材粒子;第二阳极,用于吸收中和由所述阴极靶溅射过来的电子;磁体,用于产生附加磁场以对所述电子的运动形成导向作用,以引导所述电子向所述第二阳极运动。该磁控溅射装置包括所述阳极结构。本实用新型能够保证阳极结构始终有效将薄膜的靶材粒子和电子选择性的沉积在不同的阳极结构上,因此,避免了电子和溅射离子沉积在同一阳极,阳极消失和放电的现象。
技术领域
本实用新型涉及磁控溅射技术领域,特别是指一种阳极结构及磁控溅射装置。
背景技术
现有的磁控溅射装置的阳极结构,一般直接接地或是施加一个附加电压,以使电子在电场力的作用下直接加速并沉积在阳极上,由阳极将电子吸收中和,呈散射状的中性靶材粒子溅射到阳极上,并沉积在阳极上。在反应溅射制备某些导电性较差材料的膜层的过程中,阳极会被溅射出的靶材粒子所覆盖,在阳极表面形成导电性差的薄膜层,导致电子沉积于阳极后无法被迅速的吸收中和,造成放电和阳极消失现象。
实用新型内容
有鉴于此,本实用新型的目的在于提出一种阳极结构及磁控溅射装置,能够避免阳极消失。
基于上述目的,本实用新型提供了一种阳极结构,包括:
第一阳极,设置于阴极靶与第二阳极之间,用于遮挡向第二阳极溅射过来的靶材粒子;
第二阳极,用于吸收中和由所述阴极靶溅射过来的电子;
磁体,用于产生附加磁场以对所述电子的运动形成导向作用,以引导所述电子向所述第二阳极运动。
可选的,所述磁体位于所述第二阳极的底部,所述第二阳极对应所述磁体的位置设有开口结构。
可选的,所述阳极结构还包括第三阳极,所述第三阳极将磁体包围。
可选的,所述第一阳极与第二阳极之间形成第一间距,所述第二阳极与第三阳极之间形成第二间距,所述第一间距与第二间距均为1-3mm。
可选的,所述第一阳极包括阻挡部与折弯部,所述折弯部与阻挡部连接,且所述折弯部朝向所述第二阳极。
可选的,所述开口结构呈八字形或是喇叭形。
可选的,所述第一阳极的表面形成有喷砂面。
可选的,所述第一阳极接地,第三阳极接地,所述第二阳极外接附加电压。
可选的,所述第一阳极由不锈钢材料制成,所述第二阳极、第三阳极的材料分别选自铜,铝,银,铜合金,铝合金,银合金中的至少一种,第二阳极与第三阳极的材料可以相同或不同。
本实用新型还提供一种磁控溅射装置,包括所述阳极结构。
从上面所述可以看出,本实用新型提供的阳极结构及磁控溅射装置,阳极结构包括第一阳极,设置于阴极靶与第二阳极之间,用于遮挡向第二阳极溅射过来的靶材粒子;第二阳极,用于吸收中和由所述阴极靶溅射过来的电子;磁体,用于产生附加磁场以对所述电子的运动形成导向作用,以引导所述电子向所述第二阳极运动;通过第一阳极沉积溅射出来的绝大部分靶材粒子,同时,磁体产生附加磁场以对低能量电子形成导向作用,使得脱离靶材表面束缚的低能量电子绝大部分绕过第一阳极,被第二阳极所吸收中和,由于薄膜的靶材粒子和电子选择性的沉积在不同的阳极结构上,因此,避免了电子和溅射离子沉积在同一阳极,阳极消失和放电的现象。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
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