[实用新型]电子电路有效
申请号: | 201821088085.3 | 申请日: | 2018-07-10 |
公开(公告)号: | CN208521199U | 公开(公告)日: | 2019-02-19 |
发明(设计)人: | F·勒邦;L·舍瓦利耶 | 申请(专利权)人: | 意法半导体(ALPS)有限公司 |
主分类号: | G05F1/56 | 分类号: | G05F1/56 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 王茂华;吕世磊 |
地址: | 法国格*** | 国省代码: | 法国;FR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 输出端子 输入端子 电子电路 涌入电流 配置 耦合到 电容器 控制电路 耦合 解耦 流动 激活 | ||
1.一种电子电路,其特征在于,包括:
开关,所述开关被耦合在输入端子和输出端子之间,所述输入端子旨在接收第一电压,所述输出端子被耦合到解耦电容器并且还旨在被耦合到负载;
比较级,所述比较级被配置为比较所述第一电压和存在于所述输出端子处的第二电压;
第一调节级,所述第一调节级被配置为限制在所述输入端子和所述输出端子之间流动的正涌入电流;
第二调节级,所述第二调节级被配置为限制在所述输出端子和所述输入端子之间流动的负涌入电流;以及
控制电路,所述控制电路被配置为根据所述比较的结果来激活所述第一调节级或所述第二调节级。
2.根据权利要求1所述的电子电路,其特征在于,
所述控制电路被配置为:当所述第一电压大于所述第二电压时激活所述第一调节级,以限制所述正涌入电流;以及
所述控制电路被配置为:当所述第二电压大于所述第一电压时激活所述第二调节级,以限制所述负涌入电流。
3.根据权利要求2所述的电子电路,其特征在于,所述开关包括开关晶体管,并且所述第一调节级包括:
第一检测电容器,所述第一检测电容器被配置为经由第一电流镜模块将所述第二电压的正变化转换成第一中间电流的变化;
第一参考电流模块,所述第一参考电流模块被配置为生成第一参考电流;以及
第一电压调节模块,所述第一电压调节模块被配置为:如果所述第一中间电流大于所述第一参考电流,则增加所述开关晶体管的栅极的电压。
4.根据权利要求3所述的电子电路,其特征在于,所述第二调节级包括:
第二检测电容器,所述第二检测电容器被配置为经由第二电流镜模块将所述第二电压的负变化转换成第二中间电流的变化;
第二参考电流模块,所述第二参考电流模块被配置为生成第二参考电流;以及
第二电压调节模块,所述第二电压调节模块被配置为:如果所述第二中间电流大于所述第二参考电流,则增加所述开关晶体管的所述栅极的电压。
5.根据权利要求4所述的电子电路,其特征在于,
所述第一参考电流模块和所述第二参考电流模块基本相同;
所述第一参考电流和所述第二参考电流基本相同;以及
所述第一电压调节模块和所述第二电压调节模块基本相同。
6.根据权利要求5所述的电子电路,其特征在于,所述开关晶体管包括pMOS晶体管。
7.根据权利要求6所述的电子电路,其特征在于,所述第一电压调节模块和所述第二电压调节模块均包括pMOS晶体管,所述pMOS晶体管具有被耦合到承载所述第一电压和所述第二电压中的较大电压的节点的源极,以及被耦合到所述开关晶体管的所述栅极的漏极。
8.根据权利要求3所述的电子电路,其特征在于,所述开关晶体管包括pMOS晶体管。
9.根据权利要求1所述的电子电路,其特征在于,所述开关、所述比较级、所述第一调节级、所述第二调节级和所述控制电路被集成在单个半导体管芯中。
10.根据权利要求1所述的电子电路,其特征在于,进一步包括被耦合到所述第一调节级的电池。
11.根据权利要求1所述的电子电路,其特征在于,所述电路是蜂窝移动电话、平板计算机或膝上型计算机的一部分。
12.一种电子电路,其特征在于,包括:
开关,所述开关被耦合在输入端子和输出端子之间,所述输入端子旨在接收第一电压,所述输出端子被耦合到解耦电容器并且还旨在被耦合到负载;
用于比较所述第一电压和存在于所述输出端子处的第二电压的装置;
用于限制在所述输入端子和所述输出端子之间流动的正涌入电流或者用于限制在所述输出端子和所述输入端子之间流动的负涌入电流的装置。
13.根据权利要求12所述的电子电路,其特征在于,用于限制的装置响应于用于比较的装置的结果而进行操作。
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