[实用新型]一种电容器

说明书

本实用新型提供了一种电容器，包括：基底；电极支撑结构，形成于基底上，电极支撑结构具有多个电容成型孔；下电极层，构成于电容成型孔的侧壁以及底面；电容介质层，形成于下电极层的表面；介质表面修复层，位于电容介质层的表面层，其中，介质表面修复层的表面具有纳米微晶结构；上电极，包括上电极层和上电极填充物，上电极层形成于在下电极层上的介质表面修复层的表面，上电极填充物填充电容成型孔，且上电极层和上电极填充物均覆盖电极支撑结构。改善电容介质层表面性质，降低电容器的漏电流，减少上电极板的阻值，改善电容器可靠性寿命。

技术领域

本实用新型涉及半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种电容器。

背景技术

随着半导体集成电路制造技术的发展，DRAM组件尺寸逐渐微缩，高介电常数材料取代传统的二氧化硅介质层的栅绝缘层工艺，可以在保持相同等效氧化层厚度(equivalent oxide thickness,EOT)的情况下增加介质层的实际物理厚度，减小栅绝缘层中的电场和缺陷密度，可以维持足够的驱动电流，有效抑制量子隧穿效应，降低漏电流。

然而，随着制程工艺的复杂度以及困难度的提升，大大的影响了电容介质层的整体电性以及表面性质，进而导致漏电流较大，影响电容器的寿命。

实用新型内容

本实用新型提供一种电容器，以克服或缓解背景技术中存在的一个或者更多个问题，至少提供一种有益的选择。

作为本实用新型的一个方面，提供了一种电容器，包括：

基底；

电极支撑结构，形成于所述基底上，所述电极支撑结构具有多个电容成型孔；

下电极层，构成于所述电容成型孔的侧壁以及底面；

电容介质层，形成于所述下电极层的表面；

介质表面修复层，位于所述电容介质层的表面层，其中，所述介质表面修复层的表面具有纳米微晶结构；以及

上电极，包括上电极层和上电极填充物，所述上电极层形成于在所述下电极层上的所述介质表面修复层的表面，所述上电极填充物填充所述电容成型孔，且所述上电极层和所述上电极填充物均覆盖所述电极支撑结构。

优选的，在上述电容器中，所述电容介质层包括氧化锆层。

优选的，在上述电容器中，所述电容介质层包括在所述氨气退火处理中形成的多晶结构。

优选的，在上述电容器中，所述电容介质层的多晶结构还包括四方晶相、立方晶相以及正交晶相的其中一种。

优选的，在上述电容器中，所述纳米微晶结构包括氮氧化锆层。

优选的，在上述电容器中，所述介质表面修复层的晶粒尺寸范围包括2.5nm～3.0nm。

优选的，在上述电容器中，所述电容介质层的表面进行所述氨气退火处理的退火温度范围介于330～550℃之间。

优选的，在上述电容器中，所述电容介质层的表面进行所述氨气退火处理的退火时间范围包括介于30s～100s之间。

优选的，在上述电容器中，所述电容介质层的厚度与所述介质表面修复层的厚度的比值范围包括介于10～20之间。

优选的，在上述电容器中，所述上电极填充物包括第一多晶层及第二多晶层，所述第一多晶层形成于所述上电极层的表面，所述第一多晶层填充所述电容成型孔并覆盖所述电极支撑结构，所述第二多晶层形成于所述第一多晶层的表面。

优选的，在上述电容器中，所述第一多晶层包括硼掺杂锗化硅层，所述第二多晶层包括硼掺杂硅层。

优选的，在上述电容器中，还包括：