[实用新型]一种电容器有效
| 申请号： | 201821086237.6 | 申请日： | 2018-07-06 |
| 公开（公告）号： | CN208352341U | 公开（公告）日： | 2019-01-08 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L49/02 | 分类号： | H01L49/02 |
| 代理公司： | 北京市铸成律师事务所 11313 | 代理人： | 王珺;武晨燕 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电容器 电极 电极层 电容介质层 填充物 介质表面 成型孔 修复层 电极支撑结构 下电极层 电容 基底 本实用新型 可靠性寿命 表面性质 多个电容 覆盖电极 纳米微晶 支撑结构 表面层 漏电流 侧壁 底面 极板 上电 填充 | ||
1.一种电容器，其特征在于，包括：
基底；
电极支撑结构，形成于所述基底上，所述电极支撑结构具有多个电容成型孔；
下电极层，构成于所述电容成型孔的侧壁以及底面；
电容介质层，形成于所述下电极层的表面；
介质表面修复层，位于所述电容介质层的表面层，其中，所述介质表面修复层的表面具有纳米微晶结构；以及
上电极，包括上电极层和上电极填充物，所述上电极层形成于在所述下电极层上的所述介质表面修复层的表面，所述上电极填充物填充所述电容成型孔，且所述上电极层和所述上电极填充物均覆盖所述电极支撑结构。
2.如权利要求1所述的电容器，其特征在于，所述电容介质层包括氧化锆层。
3.如权利要求1所述的电容器，其特征在于，所述电容介质层包括在氨气退火处理中形成的多晶结构。
4.如权利要求3所述的电容器，其特征在于，所述电容介质层的多晶结构还包括四方晶相、立方晶相以及正交晶相的其中一种。
5.如权利要求1所述的电容器，其特征在于，所述纳米微晶结构包括氮氧化锆层。
6.如权利要求1所述的电容器，其特征在于，所述介质表面修复层的晶粒尺寸范围介于2.5nm～3.0nm之间。
7.如权利要求1所述的电容器，其特征在于，所述电容介质层的表面进行氨气退火处理的退火温度范围介于330～550℃之间。
8.如权利要求7所述的电容器，其特征在于，所述电容介质层的表面进行所述氨气退火处理的退火时间范围介于30s～100s之间。
9.如权利要求1所述的电容器，其特征在于，所述电容介质层的厚度与所述介质表面修复层的厚度的比值范围介于10～20之间。
10.如权利要求1所述的电容器，其特征在于，所述上电极填充物包括第一多晶层及第二多晶层，所述第一多晶层形成于所述上电极层的表面，所述第一多晶层填充所述电容成型孔并覆盖所述电极支撑结构，所述第二多晶层形成于所述第一多晶层的表面。
11.如权利要求10所述的电容器，其特征在于，所述第一多晶层包括硼掺杂锗化硅层，所述第二多晶层包括硼掺杂硅层。
12.如权利要求1-11任一所述的电容器，其特征在于，还包括：
形成于所述上电极填充物表面的金属导电层以及形成于所述金属导电层表面的氧化物绝缘层。
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