[实用新型]一种薄膜太阳能电池有效

专利信息
申请号: 201821033102.3 申请日: 2018-07-02
公开(公告)号: CN208938978U 公开(公告)日: 2019-06-04
发明(设计)人: 辛科;杨立红 申请(专利权)人: 北京铂阳顶荣光伏科技有限公司
主分类号: H01L31/0224 分类号: H01L31/0224;H01L31/0465;H01L31/18
代理公司: 北京天驰君泰律师事务所 11592 代理人: 孟锐
地址: 100176 北京市大兴区北京*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 子电池 金属栅线 下部电极 薄膜层 导电层 光吸收 薄膜太阳能电池 本实用新型 玻璃基板 透光层 分割 透明导电氧化物层 太阳能电池 串联电阻 分割基板 光吸收层 依次串接 电池
【说明书】:

实用新型公开了一种薄膜太阳能电池,其包括由第一刻缝和第二刻缝分割所形成并依次串接的多个子电池,每个子电池依次包括玻璃基板;位于玻璃基板上部,由所述第一刻缝分割基板上形成的导电层所形成的子电池的下部电极;位于导电层的上部,由所述第二刻缝分割导电层上形成的光吸收薄膜层所形成的子电池的光吸收层;位于光吸收薄膜层的上部,由第二刻缝分割光吸收薄膜层上形成的透明导电氧化物层所形成的子电池的透光层;位于子电池的透光层的上部的金属栅线,金属栅线的至少一部分透过第二刻缝与另一个子电池的下部电极相连接。本实用新型的太阳能电池中利用金属栅线与下部电极直接相连接,降低了串联电阻,从而提高了转化率。

技术领域

本实用新型涉及太阳能应用技术,尤其涉及一种薄膜太阳能电池。

背景技术

太阳能电池又称为“太阳能芯片”或“光电池”,是一种通过光电效应或者光化学效应直接把光能转化成电能的装置。它只要被满足一定照度条件的光照到,瞬间就可输出电压及在有回路的情况下产生电流。

目前主流的太阳能电池包括晶硅电池和薄膜电池两种,其中,薄膜电池相比晶硅电池有着用料省、易安装的特性得到了越来越广泛的应用。现在,已经能进行产业化大规模生产的薄膜电池主要有非晶体硅薄膜太阳电池、铜铟镓硒薄膜太阳能电池(CIGS)和碲化镉薄膜太阳电池(CdTe)等。

薄膜太阳能电池由多个子电池串接后形成整个模组,基底为玻璃,其上依次蒸镀有Mo(钼)层、光吸收层、TCO(透明导电氧化物)层和铝电极,其中铝电极用于与另一个子电池的Mo层连接以便将将子电池依次串接,从而形成整个模组。从其中可以发现,这种结构中铝电极需要利用TCO层与Mo层实现连接。由于TCO层为半导体层,因此导致串联电阻过大,而过大的串联电阻则会进一步导致模组的整体转化率较低。

实用新型内容

针对现有技术中存在的技术问题,本实用新型提出了一种薄膜太阳能电池。

具体方案如下:

一种薄膜太阳能电池,包括由第一刻缝和第二刻缝分割所形成并依次串接的多个子电池,所述子电池包括:

玻璃基板;

位于所述玻璃基板上部,由所述第一刻缝分割所述基板上形成的导电层所形成的所述子电池的下部电极;

位于所述导电层的上部,由所述第二刻缝分割所述导电层上形成的光吸收薄膜层所形成的所述子电池的光吸收层;

位于所述光吸收薄膜层的上部,由所述第二刻缝分割所述光吸收薄膜层上形成的透明导电氧化物层所形成的所述子电池的透光层;

位于所述子电池的透光层的上部的金属栅线,所述金属栅线的至少一部分透过所述第二刻缝与另一个所述子电池的下部电极相连接。

可选的,所述光吸收薄膜层为铜铟镓硒CIGS层。

可选的,所述光吸收薄膜层为铜铟镓硒CIGS层和硫化镉CdS层。

可选的,所述金属栅线由金属材料蒸镀到所述透光层上所形成。

可选的,所述导电层上钻有第一孔洞,所述第一孔洞的至少一部分与所述第一刻缝的至少一部分重叠。

可选的,所述光吸收层和所述透光层上钻刻有第二孔洞,所述第二孔洞向上透过所述光吸收层和所述透光层,且其至少一部分与所述第二刻缝的至少一部分重叠。

可选的,所述第一刻缝与所述第二刻缝部分重叠。

一种薄膜太阳能电池的制造方法,包括步骤:

在玻璃基板上蒸镀导电层;

在导电层上进行划刻,形成第一刻缝,形成子电池的下部电极;

在经过刻缝的导电层上蒸镀光吸收薄膜层和透明导电氧化物层;

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