[实用新型]CIGS薄膜太阳能组件

说明书

本实用新型属于太阳能电池技术领域，公开了一种CIGS薄膜太阳能组件。本实用新型提供的CIGS薄膜太阳能组件，依次包含基底、钼金属薄膜和CIGS薄膜，且在钼金属薄膜的表面具有凹陷和/或凸起结构。本实用新型所提供的CIGS薄膜太阳能组件中，钼金属薄膜表面所具有的凹陷和/或凸起结构，使得CIGS薄膜与钼金属薄膜之间的接触方式由传统的平面方式转变成局部嵌入式的接触方式，有效提高了CIGS薄膜在钼金属薄膜表面的附着力，确保了本实用新型所提供的CIGS薄膜太阳能组件具备较好的稳定性、并适于进行异型组件制作等复杂加工工序。

技术领域

本实用新型属于太阳能电池技术领域，特别涉及一种CIGS薄膜太阳能组件。

背景技术

CIGS薄膜太阳能电池是太阳能薄膜电池CuInxGa(1-x)Se₂的简写，主要组成有Cu(铜)、In(铟)、Ga(镓)、Se(硒)，具有光吸收能力强、白天发电时间长、发电量高、生产成本低以及能源回收周期短等优点。

共蒸发沉积方法是目前铜铟镓硒(CIGS)薄膜太阳能组件生产和研究中制备铜铟镓硒吸收层的主流方法之一。共蒸发沉积方法制备CIGS薄膜的具体工艺过程：在高真空环境下，利用电阻丝加热的方式使坩埚中的铜、铟、镓、硒四种材料受热熔化，并以一定的角度和距离进行蒸发，在加热的基底表面进行沉积生长，形成CIGS薄膜。共蒸发沉积方法具有沉积效率高、过程可控性好、重复性好等优点，得到了广泛应用。

考虑晶格常数、热膨胀系数以及电导率等影响因素，目前CIGS膜层主要是在钼金属膜层表面进行沉积生长，即首先在基底(玻璃、不锈钢薄膜、聚酰亚胺薄膜等)表面，利用真空磁控溅射沉积镀膜的方法制备一层钼薄膜，然后再利用共蒸发沉积方法在钼层表面沉积CIGS膜层。

然而，目前的CIGS薄膜太阳能组件仍在稳定性和加工性能方面存在待改进的需求。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种CIGS薄膜太阳能组件，在该太阳能组件中，CIGS薄膜与钼金属薄膜之间的附着力得到了增强，从而提高了CIGS薄膜太阳能组件的加工性能和使用稳定性。

为解决上述技术问题，本实用新型的实施方式提供了一种CIGS薄膜太阳能组件，依次包含基底、钼金属薄膜和CIGS薄膜，其中，钼金属薄膜的表面具有凹陷和/或凸起结构。

相对于现有技术而言，本实用新型的实施方式所提供的CIGS薄膜太阳能组件中，钼金属薄膜表面形貌得到了改变，具体来说，在钼金属薄膜的表面形成凹陷和/或凸起结构。申请人发现，在CIGS薄膜太阳能组件中，膜层之间的附着力和附着稳定性的不足(尤其是CIGS薄膜吸收层和钼金属薄膜背电极层之间的附着力和附着稳定性的不足)，对于CIGS薄膜太阳能组件的加工性能以及使用稳定性能都具有不利影响，尤其是在对CIGS薄膜太阳能组件进行更为复杂的加工，如进行异型组件制作时，这一不利影响更为明显。本实用新型的实施方式所提供的CIGS薄膜太阳能组件，通过在钼金属薄膜表面的凹陷和/或凸起结构，使CIGS薄膜与钼金属薄膜之间的接触方式由传统的平面方式变成局部嵌入式的接触方式，有效地提高了CIGS薄膜在钼金属薄膜层上的附着力和附着稳定性。本实用新型的CIGS薄膜太阳能组件不但适于进行异型组件制作等进一步复杂的加工工序，而且具备较好的使用稳定性。

可选地，在本实用新型的实施方式中，钼金属薄膜表面的凹陷和/或凸起结构可以为若干凹槽或者若干凸棱。并且，所述的凹陷和/或凸起结构可以为连续结构或者非连续结构，或者可以为呈网络交叉排布的凹陷和/或凸起结构。只要凹陷和/或凸起结构能使CIGS薄膜与钼金属薄膜之间形成局部嵌入的接触方式，均可达到提高CIGS薄膜在钼金属薄膜层上的附着力和优化CIGS薄膜太阳能组件加工性能及稳定性的技术效果。