[实用新型]一种MOSFET栅源保护电路

说明书

本实用新型公开了一种MOSFET栅源保护电路，包括MOS管Q1和MOS管Q2，所述MOS管Q1的栅极接电阻R1接驱动信号端子，MOS管Q2的栅极接电阻R4接驱动信号端子，MOS管Q1漏极接DC端子，MOS管Q1的源极接MOS管Q2的漏极，MOS管Q1的源极接稳压管D1接MOS管Q1的栅极；所述MOS管Q2的栅极接电阻R4接驱动信号端子。本MOSFET栅源保护电路，串接的电阻R1和电阻R4，可避免引起误导通，防止栅极di/dt过高；并联的稳压管D1和稳压管D3，保护MOS管Q1和MOS管Q2不被击穿，并接的电阻R2和电阻R5，避免电荷积累，防止栅源极间过电压；稳压管D2和稳压管D4起到稳压作用；整体可防止栅极di/dt过高，防止栅源极间过电压，防护漏源极之间过电压。

技术领域

本实用新型涉及电子器件技术领域，具体为一种MOSFET栅源保护电路。

背景技术

功率MOS管自身拥有众多优点，但是MOS管具有较脆弱的承受短时过载能力，特别是在高频的应用场合，所以在应用功率MOS管对必须为其设计合理的MOS管保护电路来提高器件的可靠性，因此提出一种MOSFET栅源保护电路。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种MOSFET栅源保护电路，具有可防止栅极di/dt过高，防止栅源极间过电压，防护漏源极之间过电压的优点，解决了现有技术中MOS管使用易损坏的问题。

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种MOSFET栅源保护电路，包括MOS管Q1和MOS管Q2，所述MOS管Q1的栅极接电阻R1接驱动信号端子，MOS管Q2的栅极接电阻R4接驱动信号端子，电阻R1的输出端与电阻R4的输出端间并接有压敏电阻RZ10，MOS管Q1漏极接DC端子，MOS管Q1的源极接MOS管Q2的漏极，MOS管Q1的源极接稳压管D1接MOS管Q1的栅极；所述MOS管Q2的栅极接电阻R4接驱动信号端子，MOS管Q2的源极接稳压管D3接MOS管Q2的栅极；所述MOS管Q1的漏极接二极管D2接MOS管Q1的源极，二极管D2的两端并接电容C1和电阻R3，MOS管Q2的漏极接二极管D4接MOS管Q2的源极，二极管D4的两端并接电容C2和电阻R6；所述电阻R6的输出端接电阻R8接电流信号端子，电阻R8的输出端与电阻R4的输出端间并接有压敏电阻RZ12，电阻R8的输出端与电阻R1的输出端间并接压敏电阻RZ11，电阻R8的输入端接电阻R9接地，电阻R8的输出端接电阻R7接地，电阻R7的两端并接电容C3；所述电阻R8的输出端接下载端子LOAD。

优选的，所述电阻R1和电阻R4的阻值大小为10～100欧姆。

优选的，所述稳压管D1的两端并接电阻R2。

优选的，所述稳压管D3的两端并接电阻R5。

优选的，所述二极管D2和二极管D4均采用齐纳二极管。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果如下：

本MOSFET栅源保护电路，具有如下优点：

一：通过在MOS管Q1及MOS管Q2的栅极与驱动芯片间分别串接电阻R1和电阻R4，可避免引起误导通，防止栅极di/dt过高；

二：通过在MOS管Q1的栅极与源极间并联稳压管D1，在MOS管Q2的栅极与源极间并联稳压管D3，保护MOS管Q1和MOS管Q2不被击穿，稳压管D1的两端并接电阻R2，稳压管D3的两端并接电阻R5，避免电荷积累，防止栅源极间过电压；

三：通过在MOS管Q1的源极和漏极间接稳压管D2，在MOS管Q2的源极和漏极间接稳压管D4，起到稳压作用，接入的压敏电阻RZ10、压敏电阻RZ11和压敏电阻RZ12起到过压保护的作用，稳压管D2两端并接的电容C1和电阻R3构成滤波电路，稳压管D4两端并接的电容C2和电阻R6构成滤波电路，通过滤波电路可提高电流的稳定性，防护漏源极之间过电压。

附图说明