[实用新型]应用于自发光的像素单元电路、测试电路

说明书

本实用新型公开了一种应用于自发光的像素单元电路，其特征在于它包括：第一晶体管M1、第二晶体管M2、第三晶体管M3、第四晶体管M4、采样保持电容C1、数据信号线IDATA、开关控制信号线SMP_HLD、电源线VDD、发光器件的共阴极电源线VCOM、发光器件。本专利提出的像素阵列单元电路输出电流的测试方案，能评估各个像素单元电路输出电流的差异，进而评估整个像素阵列的电流输出一致性。

技术领域

本实用新型涉及自发光显示的像素单元阵列电流测试电路，尤其涉及OLED/LED微显示的像素单元阵列电流测试电路。

背景技术

近些年随着AR(Augmented Reality，增强现实)/VR((Virtual Reality，虚拟现实)技术的发展，与之紧密相关的微显示技术也得到了广泛的关注。微显示(Microdisplay)技术是显示技术领域的一个分支，一般将显示器对角线尺寸小于1英寸(2.54cm)或者指那些小到需要光学放大的显示器称为微显示器。目前常见的微显示技术有OLEDoS(OrganicLight-Emitting Diode on Silicon，硅基有机发光)、LEDoS(Light Emitting Diode onSilicon，硅基二极管发光)、LCoS(Liquid Crystal on Silicon，硅基液晶)和DMD(DigitalMicro mirror Device，数字微镜器件)四种，其中OLEDoS和LEDoS都属于主动发光，而LCoS和DMD则属于被动发光；同时，OLEDoS和LEDoS还具有低功耗、高对比度以及快速响应的优点，因此它们更适合应用于AR和VR技术中。

OLEDoS和LEDoS微显示器与常规的利用非晶硅、微晶硅或者低温多晶硅工艺不同，其是以单晶硅芯片为基板，也就是说其可以采用现有成熟的集成电路CMOS(ComplementaryMetal-Oxide-Semiconductor，互补金属氧化物半导体)工艺，因此其不但可以实现显示屏像素的有源寻址矩阵也可以实现扫描链电路、数字模拟转换电路、带隙基准等各种功能的驱动控制电路，从而大大减少了器件的外部连线，增加了可靠性，实现了轻量化。

像素单元电路是微显示驱动电路中最基本的单元，其输出电流的一致性会对最终显示效果造成较大的影响。因此，像素单元阵列电路输出电流的一致性分析对于分析和评估整体驱动方案具有较大的价值。

实用新型内容

本实用新型提出了一种能适用于像素单元阵列电路输出电流的测试方案，通过此方案能较容易的完成像素单元阵列电流一致性的分析。

技术方案：

本实用新型公开了一种应用于自发光的像素单元电路，它包括：第一晶体管M1、第二晶体管M2、第三晶体管M3、第四晶体管M4、采样保持电容C1、数据信号线IDATA、开关控制信号线SMP_HLD、电源线VDD、发光器件的共阴极电源线VCOM、发光器件，

所述电源线VDD一方面连接第一晶体管M1的源极，另一方面连接采样保持电容C1的上极板；采样保持电容C1的下极板分别连接第一晶体管M1的栅极、第二晶体管M2的源极、第三晶体管M3的漏极；

所述开关控制信号线SMP_HLD分别连接第二晶体管M2的栅极、第三晶体管M3的栅极、第四晶体管M4的栅极；

所述数据信号线IDATA连接第二晶体管M2的漏极；

所述第四晶体管M4的漏极分别连接第一晶体管M1的漏极、第三晶体管M3的源极；

所述第四晶体管M4的源极通过发光器件连接发光器件的共阴极电源线VCOM。

优选的，所述发光器件为OLED或LED。

优选的，第一晶体管M1、第二晶体管M2和第三晶体管M3均为PMOS管，第四晶体管M4为NMOS管。