[实用新型]应用于自发光的像素单元电路、测试电路

权利要求书

1.一种应用于自发光的像素单元电路，其特征在于它包括：第一晶体管M1、第二晶体管M2、第三晶体管M3、第四晶体管M4、采样保持电容C1、数据信号线IDATA、开关控制信号线SMP_HLD、电源线VDD、发光器件的共阴极电源线VCOM、发光器件，

所述电源线VDD一方面连接第一晶体管M1的源极，另一方面连接采样保持电容C1的上极板；采样保持电容C1的下极板分别连接第一晶体管M1的栅极、第二晶体管M2的源极、第三晶体管M3的漏极；

所述开关控制信号线SMP_HLD分别连接第二晶体管M2的栅极、第三晶体管M3的栅极、第四晶体管M4的栅极；

所述数据信号线IDATA连接第二晶体管M2的漏极；

所述第四晶体管M4的漏极分别连接第一晶体管M1的漏极、第三晶体管M3的源极；

所述第四晶体管M4的源极通过发光器件连接发光器件的共阴极电源线VCOM。

2.根据权利要求1所述的电路，其特征在于所述发光器件为OLED或LED。

3.根据权利要求1所述的电路，其特征在于第一晶体管M1、第二晶体管M2和第三晶体管M3均为PMOS管，第四晶体管M4为NMOS管。

4.一种适用于像素单元阵列电路输出电流一致性的测试电路，所述像素单元阵列电路由多个如权利要求1所述的像素单元电路组成，其特征在于测试电路包括：

像素单元复制电路P’：针对单个像素单元电路P，所述像素单元复制电路P’包含第一复制晶体管M1’和第四复制晶体管M4’，第一复制晶体管M1’和第四复制晶体管M4’的版图布局、尺寸与像素单元电路中的第一晶体管M1和第四晶体管M4的版图布局、尺寸保持一致；第四复制晶体管M4’的栅极接电源线VDD；第一复制晶体管M1’的栅极与第一晶体管M1的栅极连接在一起构成电流镜的结构；

测试选择控制电路：测试选择控制电路包含一个扫描链电路、多个测试模式控制电路、一个测试模式选择控制端口S、一个行扫描链的时钟控制端口CP和一个行扫描链的输入控制端口D，测试模式控制电路与像素单元电路一一对应，

各测试模式控制电路的输入端连接扫描链电路，各测试模式控制电路的输出端分别连接对应像素单元电路的第二晶体管M2的栅极、第三晶体管M3的栅极、第四晶体管M4的栅极，各测试模式控制电路连接测试模式选择控制端口S，扫描链电路分别连接行扫描链的时钟控制端口CP和行扫描链的输入控制端口D，其中行扫描链的扫描顺序为从上到下。

5.根据权利要求4所述的测试电路，其特征在于所述测试模式控制电路包含第一反相器INV1和第二反相器INV2，一个与门AND，一个或门OR和一个传输门；其中传输门包含NMOS和PMOS管：NMOS管和PMOS管的源端和源端相连，漏端和漏端相连；输入的IN分别连接至与门AND的一个输入端和第一反相器INV1的输入端，输入的S端分别连接至与门AND的另一个输入端和第二反相器INV2的输入端；与门AND的输出端连接至传输门中NMOS管的栅端；第一反相器INV1的输出端分别连接至传输门的输入端以及或门OR的一个输入端；第二反相器INV2连接至或门OR的另一个输入端，或门OR的输出端连接至传输门中PMOS管的栅端；传输门的输出端连接至OUT输出端口。