[实用新型]输出驱动器

说明书

本公开涉及输出驱动器。本实用新型要解决的一个技术问题是提供改进的输出驱动器。所述输出驱动器包括开关设备，所述开关设备具有耦接到电源开关的栅极的第一节点，并控制所述电源开关的所述栅极的电压电平以防止过早接通所述电源开关；和下拉电路，所述下拉电路耦接到所述开关设备，并控制所述开关设备以防止过早接通所述电源开关。通过本实用新型，可以获得改进的输出驱动器。

本申请是申请日为2017年07月20日、申请号为201720879866.3、名称为“输出驱动器和驱动装置”的实用新型申请的分案申请。

技术领域

本公开涉及集成电路设备，并且更具体地涉及包括输出驱动器电路的集成电路设备。

背景技术

输出驱动器从控制器接收低功率输入信号并产生高功率驱动信号以控制另一电路或另一部件，例如，功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。当在功率MOSFET的漏极处供应高速率的漏极-源极电压(dv/dt)时，在位于功率MOSFET的漏极和栅极之间的栅极-漏极寄生电容上的电压可能导致位移电流从功率MOSFET的漏极流向栅极。位移电流可能导致栅极-源极电压超过功率MOSFET的阈值电压并且导致功率MOSFET的错误接通。

常规的输出驱动器包括下拉电阻器，该下拉电阻器耦接在功率MOSFET的栅极和源极之间，用于解决错误接通问题。该下拉电阻器通常具备低电阻值，例如当功率MOSFET的阈值电压为低时，栅极-漏极寄生电容的值为大，或这两种情况皆有。然而，具有低电阻值的下拉电阻器因泄漏电流而具有较高功耗。

实用新型内容

本实用新型要解决的一个技术问题是提供改进的输出驱动器。

根据本实用新型的一个方面，提供了一种输出驱动器，包括：开关设备，所述开关设备具有耦接到电源开关的栅极的第一节点，并控制所述电源开关的所述栅极的电压电平以防止过早接通所述电源开关；和下拉电路，所述下拉电路耦接到所述开关设备，并控制所述开关设备以防止过早接通所述电源开关。

在一个实施例中，所述下拉电路保持接通所述开关设备以防止过早接通所述电源开关。

在一个实施例中，所述电源开关是n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管。

在一个实施例中，所述电源开关是p沟道金属氧化物半导体场效应晶体管，以及其中所述下拉电路阻止接通所述开关设备以防止过早接通所述电源开关。

在一个实施例中，所述开关设备包括耗尽型n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管，所述耗尽型n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管具有耦接到所述第一节点的漏极，以及其中所述下拉电路在所述电源开关处于或过渡到通电模式时关断所述开关设备。

在一个实施例中，所述下拉电路包括：控制电路，所述控制电路基于供电电压、第一参考电压和反馈信号来生成激活信号；和负电荷泵，所述负电荷泵根据所述激活信号来生成控制信号并将所述控制信号输出到所述开关设备。

在一个实施例中，所述反馈信号是所述控制信号，并且其中所述控制电路包括：第一比较器，所述第一比较器将所述供电电压和所述第一参考电压进行比较以输出第一输入信号；第二比较器，所述第二比较器将所述反馈信号和第二参考电压进行比较以输出第二输入信号；和逻辑门，所述逻辑门对所述第一输入信号和所述第二输入信号执行逻辑运算以输出所述激活信号。

在一个实施例中，所述电源开关在所述供电电压小于所述第一参考电压时处于断电模式，并且所述电源开关在所述断电模式和所述通电模式之间的时间间隔处处于中间模式，并且其中通过所述开关设备防止过早接通所述电源开关涉及在所述断电模式和所述中间模式期间保持所述电源开关断开。