[实用新型]包括多个环的线圈组件以及用于施加经颅磁刺激的头盔

说明书

本实用新型涉及包括多个环的线圈组件以及用于施加经颅磁刺激的头盔，每个环均具有配置成紧靠受试者器官放置并在该器官中感应出磁场的施加部分、经过远离施加部分并且远离器官的横向平面的升高部分以及将施加部分电连接到升高部分的中间部分。线圈组件包括：一个或更多个中间环，其施加部分被配置成横贯器官的中间区域；一个或更多个外围环，其施加部分被配置成横贯器官的外围区域，由此至少部分地与中间环的一部分交叉；以及一个或更多个加强元件，其被配置成将外围环的升高部分保持并固定在第一横向平面中并且将中间环的升高部分保持并固定在大致平行于第一横向平面的第二横向平面中，同时允许环的中间部分和施加部分进行有限程度的运动。

技术领域

本实用新型总体涉及电磁线圈领域，特别是设计成放置在人科的头部区域上的电磁线圈。

背景技术

已知，可以通过施加由邻近组织定位的电磁线圈产生的交变磁场来刺激活组织，由此在离开的组织中引起电场。更具体地，磁刺激可以造成脑细胞中的电传导，结果，生成动作电位。例如，在经颅磁刺激(TMS)中，由定位在受试者头皮上的线圈生成的磁场用于诱导受试者大脑内的神经刺激。

在TMS技术中，短暂的磁脉冲用于利用法拉第电磁感应定律来引起大脑中的靶向神经元去极化。当以重复的方式进行TMS(被称为rTMS)时，可以实现神经质长期增强样或抑郁样效果。常规的磁刺激技术和线圈大多被设计用于大脑组织的表面刺激，但通常不能施加更深的刺激。因为表面刺激不会引起腹侧前额叶皮质以及其他奖赏及情绪相关的大脑结构(诸如伏隔核(腹侧纹状体))的有效刺激，可预测，更深的大脑刺激可更有效地治疗重度抑郁症及其他精神病和神经疾病。

刺激深部大脑区域(一般被称为深部TMS(dTMS))需要高的强度和准确度，这种高的强度和准确度是不可能通过当前可得到的常规磁刺激器使用标准线圈配置在不造成不希望的副作用(例如，癫痫发作或与过度刺激皮质区域相关的其他问题) 的情况下达到的。过去，rTMS过程不能直接刺激大于颅骨表面以下2cm的靶标。正研发深部rTMS技术以改进利用H-线圈的电磁场的深度穿刺，其中多个绕组被布置成使得由此生成的磁场汇总在一起，以允许直接模拟到颅骨表面以下4cm。

在过去的十年中，功能成像的进展识别了特定脑部区域，其具有与特定精神病症状和病征相关的改变的活动和体积，这可能跨越心理精神疾病的疾病与针对患者和陪护人员两者的脑神经疾病的疾病之间的理论差距(Downar和Daskalakis 2013；Zhang 等人，2014年)。生物工程的对应进展经由dTMS实现了这些改变的脑部区域的非侵入式调节，从而形成精神病患者广泛使用的有效的逻辑治疗并且整体地减少精神疾病的耻辱感。

虽然深层刺激也可以用大型圆形线圈或双锥形线圈来完成，但是它们的电磁场比H-线圈衰减得更厉害并且达到很深的靶标，在表面上必须使用比H-线圈更高的强度 (Roth等人，2007年；Pell等人，2011年)。更高的强度可能对患者而言不愉快且可能不安全。H-线圈刺激了比数字8线圈更广泛的区域，这消除了对成像和神经导航的需要；在没有导航的情况下，常规rTMS在27-32％的患者中丢失了靶标，为实现缓解，因治疗(NNT)所需要的高数量而使常规rTMS治疗变得昂贵(Johnson等人， 2013年；George等人，2010年)。H-线圈刺激更大区域(与常规线圈的3cm³相比，为18cm³)和更深结构的能力是与H-线圈同步地有效治疗dTMS的原因。

之前已在国际公开号WO 02/32504中描述了TMS的新颖方法，其中可以在使副作用最小化的同时进行深层大脑刺激。其中描述的装置包括基部和延伸部，基部具有用于各个电流路径的各个绕组，并且延伸部被设计成使大脑其他区域不希望的刺激最小化。