[实用新型]智能功率模块及空调器

说明书

本实用新型公开一种智能功率模块及空调器，该智能功率模块包括逆变桥电路及功率驱动电路，逆变桥电路包括至少一个SiC型MOS管，智能功率模块还包括对应每一SiC型MOS管设置的第一负压产生电路及第一尖峰吸收电路；其中，第一尖峰吸收电路包括第一二极管、第一电阻及第一电容；第一尖峰吸收电路，用于将SiC型MOS管截止时的漏源极间电压进行释放；第一负压产生电路，用于在功率驱动电路驱动SiC型MOS管截止时，输出负电压信号，以提高SiC型MOS管的关断速度。本实用新型提高了SiC型MOS管的关断速度，解决了电压尖峰可能引起SiC型MOS管误开通或者击穿栅氧层造成损坏的问题。

技术领域

本实用新型涉及电子电路技术领域，特别涉及一种智能功率模块及空调器。

背景技术

IGBT作为一种大功率半导体功率开关器件，广泛应用于电机变频调速、高性能电源及工业电气自动化等领域，具有着广阔的市场。为了优化IGBT器件的设计，如何准确测试IGBT实际应用时的各项参数变得十分重要，其中，参数测试方法是利用脉冲发生器输出脉冲来控制IGBT，再通过测试电路或测试装置等来实现各项测试。

目前，IGBT测试用脉冲发生器大多基于双脉冲测试技术设计的，这种发生器只能发出双脉冲，且不能根据测试情况适时对脉冲宽度进行调整，或仅能实现脉冲占空比调节，功能有限。

实用新型内容

本实用新型的主要目的是提出一种智能功率模块及空调器，旨在提高SiC型MOS管的关断速度，解决电压尖峰可能引起SiC型MOS管误开通或者击穿栅氧层造成损坏的问题。

为实现上述目的，本实用新型提出一种智能功率模块，所述智能功率模块包括逆变桥电路及驱动所述逆变桥电路工作的功率驱动电路，其特征在于，所述逆变桥电路包括至少一个SiC型MOS管，所述智能功率模块还包括对应每一所述SiC型MOS管设置的第一负压产生电路及第一尖峰吸收电路；所述功率驱动电路的控制端与所述第一负压产生电路的输入端连接，所述第一负压产生电路的输出端与所述逆变桥电路对应的受控端连接；其中，

所述第一尖峰吸收电路包括第一二极管、第一电阻及第一电容，所述第一二极管的阳极与所述逆变桥电路的对应的受控端连接，所述第一二极管的阳极分别与所述第一电阻的第一端及所述第一电容的第一端连接；所述第一电阻的第二端及所述第一电容的第二端均接地；

所述第一尖峰吸收电路，用于将所述SiC型MOS管截止时的漏源极间电压进行释放；

所述第一负压产生电路，用于在所述功率驱动电路驱动所述SiC型MOS管截止时，输出负电压信号，以提高所述SiC型MOS管的关断速度。

优选地，所述智能功率模块还包括用于控制PFC校正信号输出的PFC控制开关，所述PFC控制开关的受控端与所述功率驱动电路的第二控制端连接。

优选地，所述智能功率模块还包括第二尖峰吸收电路，所述第二尖峰吸收电路的输入端与所述PFC控制开关的受控端连接，所述第二尖峰吸收电路的输出端接地。

优选地，所述第二尖峰吸收电路包括第二二极管、第二电阻及第二电容，所述第二二极管的阳极与所述逆变桥电路的受控端连接，所述第二二极管的阴极分别与所述第二电阻的第一端及所述第二电容的第一端连接；所述第二电阻的第二端及所述第二电容的第一端均接地；

所述第二尖峰吸收电路，用于将所述SiC型MOS管截止时的漏源极间电压进行释放。

优选地，所述智能功率模块还包括第二负压产生电路，所述第二负压产生电路串联设置于所述功率驱动电路的第二控制端与所述PFC控制开关的受控端之间；

所述第二负压产生电路，用于在所述功率驱动电路驱动所述PFC控制开关截止时，输出负电压信号，以提高所述PFC控制开关的关断速度。