[实用新型]智能功率模块及空调器

权利要求书

1.一种智能功率模块，所述智能功率模块包括逆变桥电路及驱动所述逆变桥电路工作的功率驱动电路，其特征在于，所述逆变桥电路包括至少一个SiC型MOS管，所述智能功率模块还包括对应每一所述SiC型MOS管设置的第一负压产生电路及第一尖峰吸收电路；所述功率驱动电路的控制端与所述第一负压产生电路的输入端连接，所述第一负压产生电路的输出端与所述逆变桥电路对应的受控端连接；其中，

所述第一尖峰吸收电路包括第一二极管、第一电阻及第一电容，所述第一二极管的阳极与所述逆变桥电路的对应的受控端连接，所述第一二极管的阴极分别与所述第一电阻的第一端及所述第一电容的第一端连接；所述第一电阻的第二端及所述第一电容的第二端均接地；

所述第一尖峰吸收电路，用于将所述SiC型MOS管截止时的漏源极间电压进行释放；

所述第一负压产生电路，用于在所述功率驱动电路驱动所述SiC型MOS管截止时，输出负电压信号，以提高所述SiC型MOS管的关断速度。

2.如权利要求1所述的智能功率模块，其特征在于，所述智能功率模块还包括用于控制PFC校正信号输出的PFC控制开关，所述PFC控制开关的受控端与所述功率驱动电路的第二控制端连接。

3.如权利要求2所述的智能功率模块，其特征在于，所述智能功率模块还包括第二尖峰吸收电路，所述第二尖峰吸收电路的输入端与所述PFC控制开关的受控端连接，所述第二尖峰吸收电路的输出端接地。

4.如权利要求3所述的智能功率模块，其特征在于，所述第二尖峰吸收电路包括第二二极管、第二电阻及第二电容，所述第二二极管的阳极与所述逆变桥电路的受控端连接，所述第二二极管的阳极分别与所述第二电阻的第一端及所述第二电容的第一端连接；所述第二电阻的第二端及所述第二电容的第一端均接地；

所述第二尖峰吸收电路，用于将所述SiC型MOS管截止时的漏源极间电压进行释放。

5.如权利要求2所述的智能功率模块，其特征在于，所述智能功率模块还包括第二负压产生电路，所述第二负压产生电路串联设置于所述功率驱动电路的第二控制端与所述PFC控制开关的受控端之间；

所述第二负压产生电路，用于在所述功率驱动电路驱动所述PFC控制开关截止时，输出负电压信号，以提高所述PFC控制开关的关断速度。

6.如权利要求5所述的智能功率模块，其特征在于，所述第二负压产生电路包括第三电容、第三电阻及第四电阻，所述第三电容的第一端为所述第二负压产生电路的输入端，所述第三电容的第二端为所述第一负压产生电路的输出端，并与所述第四电阻的第一端连接；所述第三电阻与所述第三电容并联设置，所述第四电阻的第二端接地。

7.如权利要求1至6任意一项所述的智能功率模块，其特征在于，所述逆变桥电路包括三相上桥臂SiC型MOS管和三相下桥臂SiC型MOS管，所述第一负压产生电路的数量为六个，且六个所述第一负压产生电路分别与所述三相上桥臂SiC型MOS管和三相下桥臂SiC型MOS管中的每一所述SiC型MOS管对应。

8.如权利要求7所述的智能功率模块，其特征在于，所述第一负压产生电路包括第四电容、第五电阻、第六电阻，所述第四电容的第一端为所述第一负压产生电路的输入端，所述第四电容的第二端为所述第一负压产生电路的输出端，并与所述第六电阻的第一端连接；所述第五电阻与所述第一电容并联设置，所述第六电阻的第二端接地。

9.如权利要求1至6任意一项所述的智能功率模块，其特征在于，所述逆变桥电路包括三相上桥臂SiC型MOS管和三相下桥臂SiC型MOS管，所述第一尖峰吸收电路的数量为六个，且六个所述第一尖峰吸收电路分别与所述三相上桥臂SiC型MOS管和三相下桥臂SiC型MOS管中的每一所述SiC型MOS管对应。

10.一种空调器，其特征在于，所述空调器包括如权利要求1至9任意一项所述的智能功率模块。