[实用新型]显示面板有效
申请号: | 201820170288.0 | 申请日: | 2018-01-30 |
公开(公告)号: | CN207781604U | 公开(公告)日: | 2018-08-28 |
发明(设计)人: | 李加伟;郭瑞;胡坤;蔡世星 | 申请(专利权)人: | 云谷(固安)科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52 |
代理公司: | 北京国昊天诚知识产权代理有限公司 11315 | 代理人: | 许志勇 |
地址: | 065500 河*** | 国省代码: | 河北;13 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 黑矩阵层 显示面板 环境光 无机膜层 像素层 本实用新型 阵列排布 出光口 粗糙面 上表面 下表面 子像素 基板 非出光区域 显示效果 黑矩阵 透过率 覆盖 发光 照射 阻挡 优化 | ||
本实用新型涉及显示技术领域,公开了一种显示面板,包括基板、像素层、无机膜层以及黑矩阵层;像素层位于基板的上方,其具有若干个阵列排布的子像素;无机膜层覆盖像素层;黑矩阵层形成有若干个呈阵列排布的出光口,出光口与子像素一一相对;其中,黑矩阵层的上表面和/或下表面为粗糙面。本实用新型的显示面板,设置黑矩阵层覆盖无机膜层的非出光区域,阻挡环境光进入无机膜层,降低环境光对显示面板自发的光的影响;同时,通过将黑矩阵层的上表面和/或下表面设置为粗糙面,有利于改变环境光在黑矩阵表面的照射路线,进一步降低环境光的透过率,进而降低环境光对于像素层发光的影响,从而优化显示面板的显示效果。
技术领域
本申请涉及显示技术领域,尤其涉及一种显示面板。
背景技术
目前,有机电致发光二极管(Organic Light Emitting Diode,OLED)显示面板为显示面板行业的研发重点。
现有的OLED显示面板存在如下问题:OLED显示面板自身发出的光跟环境光会相互作用,使得OLED显示屏屏体的显示效果变差。现有技术中,所采用的解决办法是:在屏体表面贴附一层偏光片,减少环境光对OLED显示面板的影响,以提升屏体的显示效果。但这种方法同时也存在如下弊端:偏光片会阻挡50%的OLED显示面板自身发出的光的光强度。
实用新型内容
本实用新型目的在于提供一种显示面板,以优化显示面板的显示效果。
本实用新型提供一种显示面板,包括基板、像素层、无机膜层以及黑矩阵层;
所述像素层位于所述基板的上方,其具有呈阵列排布的若干个子像素;
所述无机膜层覆盖所述像素层;
所述黑矩阵层设置于所述无机膜层的内部或者表面,所述黑矩阵层形成有若干个呈阵列排布的出光口,所述出光口与所述子像素一一相对;
其中,所述黑矩阵层的上表面和/或下表面为粗糙面。
进一步地,所述黑矩阵层的上表面或下表面具有10nm~20nm的粗糙度。
进一步地,所述黑矩阵层的厚度为50nm~200nm。
进一步地,所述黑矩阵层的上表面或下表面为粗糙面。
进一步地,所述黑矩阵层的材料为无机材料。
进一步地,所述黑矩阵层的材料为非晶硅。
进一步地,所述黑矩阵层为网格状的一体式结构。
进一步地,所述黑矩阵层包括若干个间隔设置的黑矩阵单元,所述若干个黑矩阵单元阵列排布围成所述出光口。
进一步地,所述出光口的横截面积大于或等于所述子像素口的横截面积。
进一步地,所述无机膜层的材料为氧化铝或氮化硅。
进一步地,所述显示面板还包括有机膜层,所述有机膜层封装所述无机膜层及所述黑矩阵层。
本实用新型为解决上述技术问题,提供了一种显示面板,设置黑矩阵层覆盖无机膜层的非出光区域,阻挡环境光进入无机膜层,降低环境光对显示面板自发的光的影响;同时,通过将黑矩阵层的上表面和/或下表面设置为粗糙面,有利于改变环境光在黑矩阵表面的照射路线,进一步降低环境光的透过率,进而降低环境光对于像素层发光的影响,从而优化显示面板的显示效果;
此外,本实用新型通过在无机膜层的表面形成黑矩阵层,还能够对后续形成的有机膜层起到增强作用,增强有机膜层的强度;
另外,本实用新型通过采用无机材料形成黑矩阵层,有利于控制黑矩阵层的厚度,进而控制显示面板的厚度,以适用于目前显示面板薄型化的要求。
附图说明
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的