[实用新型]大功率晶体管功率老化台温控结构

说明书

本实用新型涉及老化台温控机械领域，尤其涉及大功率晶体管功率老化台温控结构。包含老化台壳体，老化台壳体上包含出风口，其特征在于，风口还包含出水部分，出水部分包含出水圈，出水圈围绕出风口布置，出水圈内部包含一圈的棉花条，出水圈上安装着水瓶，出水圈内壁包含一圈的渗水孔，水瓶内部的水通过出水圈渗入棉花条中，进一步从渗水孔中渗出，出风口的风能够对渗出的水进行蒸发吸热。原来技术仅仅通过气流冷却，冷却效率有限，尤其是产热比较多的时候，本专利采用蒸发吸热的方式，由于出风口的风扇朝外吹的过程中，会带水走，进一步能吸收空气中的热量，能让气流带走更多的热量。

技术领域

本实用新型涉及老化台温控机械领域，尤其涉及大功率晶体管功率老化太温控结构。

背景技术

对于任何设计合理、工艺成熟、质量控制严格的生产线生产出来的产品也有可能存在早期失效的产品。他们的存在致使整批产品的使用可靠性会大大降低。通过筛选，剔除早期失效元器件，使得通过筛选的元器件从开始使用就进入失效率低而恒定的时期，从而提高元器件批产品的使用可靠性。

老炼试验是目前最常见和最有效的一种可靠性筛选试验方法，在集成电路生产厂商、用户以及鉴定检测机构广泛应用。老炼筛选对器件施加两种以上的应力（温度应力、电压或电流等电应力），通过电和热应力的综合作用可以更充分地激活器件内部潜在的材料和工艺的大部分缺陷，诱发器件发生相关失效，从而剔除早期失效的元器件。

PWD-V大功率晶体管功率老化台，就是提供特定的试验条件下，将有制造缺陷的元器件在短时间内提前暴露的专用试验仪器设备。PWD-V大功率晶体管功率老化系统根据MIL-STD-750D标准、IEC标准和GJB128《半导体分立器件试验方法》，可针对各种不同类型、不同封装（如F1、F2、TO-220等）、不同极性的大功率三极管、MOS管的可靠性进行筛选，剔除早期失效的元器件。

PWD-V采用水冷散热控温的方法，冷却水通过制冷单元冷却后循环使用。本设备具有冷却水水压欠压、过压保护功能，平台温度超温保护功能及单工位电流、电压超限保护功能，但是在实际使用过程中发现PWD-V试验台不能满足试验过程中的监测需要和解决客户的一些需求。

实用新型内容

实用新型的目的：为了提供一种效果更好的大功率晶体管功率老化太温控结构，具体目的见具体实施部分的多个实质技术效果。

为了达到如上目的，本实用新型采取如下技术方案：

大功率晶体管功率老化台温控结构，包含老化台壳体，老化台壳体上包含出风口，其特征在于，风口还包含出水部分，出水部分包含出水圈，出水圈围绕出风口布置，出水圈内部包含一圈的棉花条，出水圈上安装着水瓶，出水圈内壁包含一圈的渗水孔，水瓶内部的水通过出水圈渗入棉花条中，进一步从渗水孔中渗出，出风口的风能够对渗出的水进行蒸发吸热。

本实用新型进一步技术方案在于，所述的出水圈通过胶带粘结在老化台壳体的壳体面板上。

本实用新型进一步技术方案在于，所述的水瓶瓶口包含海绵。

本实用新型进一步技术方案在于，所述的棉花条在出水圈内部分布一周。

采用如上技术方案的本实用新型，相对于现有技术有如下有益效果：原来技术仅仅通过气流冷却，冷却效率有限，尤其是产热比较多的时候，本专利采用蒸发吸热的方式，由于出风口的风扇朝外吹的过程中，会带水走，进一步能吸收空气中的热量，能让气流带走更多的热量。

附图说明

为了进一步说明本实用新型，下面结合附图进一步进行说明：

图1为实用新型结构示意图；

图2为实用新型的固定圈的结构示意图；

其中：1.老化台壳体；2.风扇；3.壳体面板；4.出水圈；5.水瓶；6.棉花容纳空间；7.渗水孔。